電動汽車（EV）直流快速充電機繞過安裝在電動汽車上的車載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優化系統效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機的主要關注點。在設計此類系統時，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環境保護，以及可靠性。相比傳統硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
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SiC 電動汽車 直流快速充電機 Wolfspeed
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數據表中的典型V
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SiC MOSFET RSP
800V車型刷屏，高壓SiC車載應用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內外車企開始加速800V電壓架構車型的量產，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰略推進，將進一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風口◆ 800V架構成為電動汽車主流電動化進程持續推進，安森美（onsemi）電源方案事業部汽車主驅方案部門產品總監Jonathan
Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續航里程和充電便利性
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SiC 逆變器 功率模塊
在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產品組合。這兩個產品系列基于Coo
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
6月7日，蘇州優晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創新性強，突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產權，經濟效益顯著。資料顯示，優晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經持續工藝優化，目前已推出至第四代機型——UKIN
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優晶科技 8英寸 SiC 單晶生長設備
本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一個數學模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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電驅逆變器 碳化硅 電動汽車 大功率
作為天岳先進三大SiC材料生產基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上海基地項目似乎更受關注。近日，天岳先進上海基地項目披露了最新進展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產業區的生產基地第一個項目完成驗收，意味著該生產基地由此進入新的發展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產據悉，天岳先進上海基地項目最初于2021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產后，SiC襯底的產能約為30萬片/年。從投資規模和產能規劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進的市場地位再進一步。近年來
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天岳先進 碳化硅
服務器電源主要用在數據中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規范是Intel聯合一些主要的IA架構服務器生產商推出的新型服務器電源規范，SSI規范的推出是為了規范服務器電源技術，降低開發成本，延長服務器的使用壽命
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MOSFET 服務器電源
●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產業園將實現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區內完成從芯片研發到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業客戶的電氣化進程和高能效轉型服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
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意法半導體 碳化硅
PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術設計達到優異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業電力系統設計，提供優異的品質因數（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開關損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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PANJIT MOSFET
6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續航里程、減少充電停車次數、同時降低OEM廠商的系統級成本。據了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統的
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恩智浦 SiC 逆變器
●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關品牌純電車型提高電驅能效●? ?雙方成立創新聯合實驗室，共同推動節能智能化電動汽車發展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌
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吉利汽車 ST SiC 意法半導體
6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創新解決方案。據數據顯
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ST 吉利汽車 SiC
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統）、
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SiC ADAS 新能源汽車
自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設是支持汽車、工業和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產，到2033年達到滿負荷生產，滿產狀態下每周可生產多達15,000
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ST 意大利 碳化硅
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