碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
意法半導體隔離柵極驅(qū)動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅(qū)動器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動器對于實現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設(shè)計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風口狂追
- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現(xiàn)新進展。從國內(nèi)外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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小米首款汽車發(fā)售，碳化硅加速前行
- 3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價21.59萬元；小米SU7 Pro版，售價24.59萬元；小米SU7 Max版，售價29.99萬元。圖片來源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應(yīng)商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應(yīng)商，也包含了比亞迪、寧德時代、揚杰科技等本土供應(yīng)鏈廠商。芯片領(lǐng)域，英偉達為小米汽車提供自動駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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華泰證券：先進封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會
- 華泰證券發(fā)布研報稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會)上，華泰證券與數(shù)十家國內(nèi)外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設(shè)備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設(shè)備：AI拉動先進封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長。 華泰證券主要觀點如下：
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意法半導體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計及應(yīng)用
- 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）近日宣布與高效能電源供應(yīng)領(lǐng)導廠商肯微科技合作，設(shè)計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設(shè)計技術(shù)。該參考方案是電源設(shè)計數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數(shù)位服務(wù)的需求持續(xù)成長，能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計適用于3k
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設(shè)備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的需求
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總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂
- 據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動具有重要
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息，當?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進場，預計2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕。現(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機電、中微公司
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如何通過SiC增強電池儲能系統(tǒng)？
- 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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