眾所周知，提高 SiC 晶圓質量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發展已經完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環境下生長，同時具有高剛性和化學穩定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質量和隨后制造的外延層質量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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SiC 晶圓
摘要在無線收發器等應用中，系統一般處于偏遠地區，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現場進行干預，此類應用必須持續運行。系統持續無活動或掛起后，需要復位系統以恢復操作。為了實現系統復位，可以切斷電源電壓，斷開系統電源，然后再次連接電源以重啟系統。 本文將探討使用什么方法和技術可以監控電路的低電平有效輸出來驅動高端輸入開關，從而執行系統電源循環。 簡介為了提高電子系統的可靠性和穩健性，一種方法是實施能夠檢測故障并及時響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統正常運行
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MOSFET 系統電源循環 ADI
2024年1月18日，中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續航里程可延長5到10公里，在夏冬
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加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新
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Transphorm 高功率服務器 工業電力轉換 氮化鎵場效應晶體管 碳化硅 SiC
據英飛凌官網消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協議。據悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產。在后續階段，SK Siltron CSS將在協助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發揮重要作用。據了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應鏈彈性意味著實施多供應商戰略，并在逆境中蓬勃發展，創造新的增長機會并推
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1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車和工業市場增長的
推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業績都超預期。
其中，第一季度由先進駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基
礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第
二季度汽車業務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創
歷史新高，第三季度汽車和工業終端市場都實現創紀錄
收入。安森美大中華區銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚
焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
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意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協議。
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SiC
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6
V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3
V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應用中，各個壓降會產生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優勢。簡介理想二極管使用低導通電阻功率開關（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向
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MOSFET 二極管 功率開關
工業電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業領域為設備提供穩定的電力供應，在工業自動化、通訊、醫療、數據中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業電源應用環境苛刻復雜，對電源的穩定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造， 形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩壓電源
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第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
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12月29日消息，昨日，在小米汽車技術發布會上，小米集團董事長雷軍宣布，發布CTB一體化電池技術，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時代歷時兩年共同研發。據雷軍介紹，小米電池通過全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時，采用行業首創電芯倒置技術，最大程度保證乘員艙安全。同時，該項技術可以達到低溫環境下“續航保持率同級更高、空調升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車立
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過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素?，F在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業大趨勢下，到2028年，該數字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術變革的主要驅
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低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的
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2023年12月22日，中國北京-服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。隨著汽車行業電動化和綠色低碳轉型的持續深入，高壓純電動車因其能效更高、續航里程更遠，已成為汽車制
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