- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
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Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
- 本文的關鍵要點各行各業的工廠都在擴大生產線的智能化程度，在生產線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業加速推進生產線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業的工廠，既需要進一步提升生產效率和產品品質，還需要推進無碳生產（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業中，提高工廠的生產效率和
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電力轉換 SiC MOSFET
- 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態頻頻，再度引起業界對碳化硅材料關注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長期150mm碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個多年期產能預留協議。這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統等領域對于碳化硅半導體不斷增長的需求。據英飛凌科技首席執行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實一項多供應商戰略，從而在
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碳化硅 英飛凌 晶圓
- 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰，但我們看到了不少閃光點，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯網的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術專家牛嘉浩先生為大家帶來了他對過去一年的經驗總結和對新一年的展望期盼。汽車產業鏈中的困難與挑戰在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產業鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調整生產和采購策略以應對潛在的風險和瓶頸。隨著更多傳統車企和新興造車勢力進入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
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智能電源 智能感知 汽車領域 SiC
- CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC?技術的輸出電流能力強，可靠性提高。產品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產品特點■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統■ 開關損
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MOSFET CoolSiC Infineon
- 電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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GaN SiC
- 在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標
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infineon MOSFET
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業取得了哪些進步？出現了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰？為更好地解讀產業格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產第4代SiC MOS即將量產行家說三代半：據《2023碳化硅（SiC）產業調研白皮書》統計，2023年全球新發布碳化硅主驅車型又新增了40多款，預計明年部分
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意法半導體 SiC
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經濟技術開發區新明路南側建造廠房用于生產及研發等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產功率半導體及新能源汽車驅動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模塊 碳化硅 SiC
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 電動汽車
- MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著重要作用。在本文中，我們將學習如何對MOSFET的小信號行為進行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現代模擬IC設計至關重要。然而，那篇文章主要關注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當我們說“小信號”時，我們的確切意思是？為了定義這一點，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
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MOSFET 模擬IC
- 據外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發布聲明，宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現有150mm碳化硅晶圓長期供應協議。根據聲明，雙方延長的的合作關系中包括一項多年期產能預留協議。新協議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩定性，同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅晶圓產品日益增長的需求。英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質、長期供應優質貨源。
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英飛凌 碳化硅 晶圓 Wolfspeed
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