碳化硅(sic)mosfet 文章最新資訊

基本半導(dǎo)體子公司注冊資本增至2.1億元

7月9日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導(dǎo)體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在車規(guī)級碳化硅領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)充奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。戰(zhàn)略資本加持助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對基本半導(dǎo)體在新能源汽車功率器件領(lǐng)域技術(shù)積累和市場優(yōu)勢的充分認(rèn)可。該基金是
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體碳化硅車規(guī)級

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板

NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。它們設(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。本用戶指南支持NCP51752的評估板。它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。本文檔描述了孤立單體的擬
關(guān)鍵字： onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅(qū)動器評估板

650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on）和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JF
關(guān)鍵字： 650V GaN 器件高功率應(yīng)用 SiC

Wolfspeed 1700 V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

在幾乎所有電機(jī)驅(qū)動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運(yùn)行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時(shí)最大限度地降低風(fēng)險(xiǎn)并支持多源采購——設(shè)計(jì)人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認(rèn)證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內(nèi)增強(qiáng)輔助電源的
關(guān)鍵字： Wolfspeed MOSFET 輔助電源系統(tǒng)

香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準(zhǔn)

6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計(jì)劃」申請已獲得評審委員會批準(zhǔn)。獲批項(xiàng)目涉及在香港興建寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶圓制造設(shè)施。項(xiàng)目總預(yù)算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計(jì)劃」資助。這筆資金預(yù)計(jì)將大大提升香港的先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力，并加速其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運(yùn)營，同時(shí)
關(guān)鍵字：香港 8英寸 SiC 晶圓廠

基于SiC的熔絲保護(hù)高壓電氣系統(tǒng)

在減少排放和實(shí)現(xiàn)凈零目標(biāo)的前進(jìn)道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些應(yīng)用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機(jī)驅(qū)動器）或增強(qiáng)現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達(dá)到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應(yīng)用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護(hù)的需求至關(guān)重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設(shè)計(jì)人員正在實(shí)施更強(qiáng)大的電路保護(hù)方法。僅限于保護(hù)線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負(fù)載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護(hù)線路并限制傳輸?shù)焦收县?fù)載的短路允通電流和能量，從而可以防止負(fù)載自身損壞。傳統(tǒng)電路
關(guān)鍵字： SiC 熔絲保護(hù)

一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理
關(guān)鍵字：安森美 SiC Combo JFET

SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高
關(guān)鍵字： SiC Combo JFET 安森美

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述， CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析），今天我們分析一下在軟開關(guān)和硬開關(guān)兩種場景下，如何進(jìn)行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用除了R DS(on) ，開關(guān)損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因?yàn)镾iC往往工
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

基本半導(dǎo)體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領(lǐng)域布局

近日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）宣布完成D輪融資，融資金額達(dá)1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張以及市場拓展。基本半導(dǎo)體成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領(lǐng)
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體碳化硅

羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團(tuán)的合資企業(yè)——上海海姆希科
關(guān)鍵字：羅姆 SiC MOSFET 豐田純電車型

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱性能。考慮到熱效應(yīng)對導(dǎo)通損耗的影響，并聯(lián)功率開關(guān)管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)，因?yàn)閰?shù)差異會影響均流特性。本文
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC MOSFET

SiC過剩預(yù)警：新能源汽車能否消化瘋狂擴(kuò)產(chǎn)？

就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導(dǎo)體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山第三代半導(dǎo)體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標(biāo)簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續(xù)下去。「消息稱 2025 年中國 SiC 芯片價(jià)格將下降高達(dá) 30%」「SiC 價(jià)格跳水, 開啟下半場戰(zhàn)役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產(chǎn)能狂飆根據(jù)預(yù)測 2025 年全球 SiC 襯底產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá) 400 萬片，需求預(yù)測僅 250 萬片。從需求側(cè)來看
關(guān)鍵字： SiC

據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競爭對手將迎來機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)公布一項(xiàng)預(yù)包裝破產(chǎn)計(jì)劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計(jì)劃進(jìn)行投票，然后正式申請第 11 章保護(hù)，報(bào)道補(bǔ)充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
關(guān)鍵字：碳化硅意法半導(dǎo)體功率器件

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)新型SiC MOSFET器件

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強(qiáng)度和優(yōu)異的熱導(dǎo)率，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時(shí)優(yōu)化導(dǎo)通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得重要突破。據(jù)復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計(jì)并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
關(guān)鍵字：復(fù)旦大學(xué) SiC MOSFET器件