- 現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業一種公認的解決方案，是將先進的開關MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優化了高速功率轉換。隨著對這
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電源系統設計 單片驅動器 MOSFET DrMOS
- MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。市面上大家所說的功率場效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
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MOSFET
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
- REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關特性，是電動汽車和能量存儲系統（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統，電動汽車快速充電，功率轉換系統 （PCS）?場景應用
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mosfet dc-dc 英飛凌 ipcdcdc infineon 終端 功率 dc 充電器
- 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新換代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
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上海貝嶺 驅動IC MOSFET
- 碳化硅的發展與電動汽車的快速發展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動駕駛技術的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術重要性愈發凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領域的頭部企業，其動態是行業的重要風向標，近期三家企業均發表了對碳化硅行業的積極展望，反映車規級碳化硅產品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數十億美元的新工廠，以生產為電動汽
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碳化硅 電源管理芯片
- 2022年9月20日，國內第三代半導體碳化硅頭部企業——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產業鏈關鍵環節的研發制造能力，提升產能規模，支撐碳化硅產品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業務加速拓
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基本半導體 代半導體 碳化硅
- 半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業的砍單潮已經將寒氣傳遞給了眾多企業，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產能擴張。 安森美二季度財報發布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調為“同比增長3倍”，而
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碳化硅 氮化鎵
- SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
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羅姆半導體，MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。 新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
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東芝 SiC MOSFET
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
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Nexperia 晶圓級 MOSFET
- 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率
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ADI MOSFET 電源系統設計
- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為臺灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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硅 碳化硅 氮化鎵 功率半導體
- 與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC 讓設計人員能夠減少元器件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。SiC 元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少 CO2 排放量
的環保型產品和系統。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的
開發領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業的
應用中都實現了更佳的節能效果。水原德健, 羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經理
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- 受訪人：水原德健 羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 目前，市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導體器件的應用場景。當低頻、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
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碳化硅 mosfet介紹
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