Nexperia發布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET
—— DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應用中節省電力并簡化散熱管理
加入技術交流群
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。
新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。
RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現在自發熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。
具體而言，在VGS =4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此，在市場上類似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導通電阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，還可提供額定2kV ESD保護（人體模型 – HBM）。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。
除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時的最大RDS(on)為16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具備市場領先的效率。
30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN現已供貨，可從Nexperia獲得。
評論