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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

        碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

        Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

        • 基礎半導體元器件領域的專家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管,正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措,旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件,重復反向峰值電壓為650V(VRRM),持續正向電流為10A(IF),旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝,使該系列
        • 關鍵字: Nexperia  碳化硅  SiC  二極管  

        提高遲滯,實現平穩的欠壓和過壓閉鎖

        • 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平,且低壓電路不會出現過載或損壞。在功率路徑控制電路中,電阻分壓器有助于設置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統、便攜式電池供電儀器儀表以及數據處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統在異常低的電源電壓下工作,避免導致系統故障。例如,當電源電壓低于規格要求時,數字系統可能性能不穩定,甚至死機。當電源為可充電電池時,欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
        • 關鍵字: MOSFET  

        基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器演示板,讓設計師實現用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉換器

        • EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉換器,可提供2 kW的功率和實現96.5%的效率,是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9163,這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉換器演示板,可在非常小的占板面積上實現 96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 - 并聯兩個轉換器可以實現4 kW的功率,或者并聯三個轉換器以實現6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET(EPC2218),并由模塊控制,該模塊采用Mic
        • 關鍵字: MOSFET  

        添加靈活的限流功能

        • 問題:我可以根據負載輕松而精確地進行限流嗎?答案:可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中,需要精確地限制電流。無論是要保護電源(例如,中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統部件提供電能),還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載,都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩壓器來滿足此要求時,我們發現市面上具有可調限流功能的電壓轉換器很少見。可調限流功能在采用外部電源開關的控制器設計中更加常見,而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且,可調限流功能的精度通常不是很高。以
        • 關鍵字: MOSFET  

        使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開關效率和可靠性

        • 在越來越多的應用中,對導通和關斷AC輸入電源的器件的性能進行優化是一個重要考慮因素,這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯網(IoT)的家電、智能開關和插頭、調光器和人體感應傳感器,特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設計。當AC電源異步導通或關斷而不考慮其所處的電壓時,效率和可靠性會受到不利影響,必須添加電路以保護開關免受高瞬態電流的影響。當AC電源異步導通時,浪涌電流可能超過100A。反復暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產生負面影響。電觸點的預期壽命因浪涌電流需求
        • 關鍵字: MOSFET  

        在單個封裝中提供完整的有源功率因數校正解決方案

        • 源設計者如今面臨兩個主要問題:消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導致傳輸設備過熱,并帶來后續必須解決的干擾難題;這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產生不利影響。如果施加在線路上的負載不是純電阻性的,輸入電壓和電流波形之間將產生相移,從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負載使輸入電流波形失真,則會引起電流諧波,從而進一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網。如果要解決這些問題,需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路,整流管將交流電壓
        • 關鍵字: MOSFET  

        利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源

        • 目前市面上出現了一個新的芯片組,它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations,包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
        • 關鍵字: MOSFET  

        如何選擇合適的電路保護

        • 問題:有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲?答案:可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業的制造商都在不斷推動提升高端性能,同時試圖在此類創新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設計人員面臨著平衡設計復雜性、可靠性和成本這一困難任務。以一個電子保護子系統為例,受其特性限制,無法進行創新。這些系統保護敏感且成本高昂的下游電子器件(FPGA、ASIC和微處理器),這些器件都要求保證零故障。許多傳統的可靠保護解決方案(例如二極管、保險絲和TVS器件)能夠保持待保護狀態,但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
        • 關鍵字: MOSFET  

        碳化硅在新能源汽車中的應用現狀與導入路徑

        • 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點,可以很好地滿足新能源汽車電動化發展趨勢,引領和加速了汽車電動化進程,對新能源汽車發展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業成長期過渡的關鍵階段,汽車產銷量、保有量連續6年居世界首位,在全球產業體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業的飛速發展,極大地推動了碳化硅產業發展與技術創新,為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
        • 關鍵字: 碳化硅  新能源汽車  功率半導體  202110  MOSFET  SiC  

        碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來?

        • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認,第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
        • 關鍵字: 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

        東芝支持功能安全的車載無刷電機預驅IC的樣品出貨即將開始

        • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,已開始供應“TB9083FTG”的測試樣品,這是一種面向汽車應用的預驅IC(其中包括電動轉向助力系統和電氣制動器使用的無刷電機)。東芝將在2022年1月提供最終樣品,并將在2022年12月開始量產。TB9083FTG是一種3相預驅IC,能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產品支持ASIL-D[1]功能安全規范[2]且符合ISO 26262標準第二版的要求,適用于高安全級別的汽車系統。這種新型IC內置三通道預驅,用于控制和
        • 關鍵字: MOSFET  

        Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產品獎

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩壓器被《21IC中國電子網》評為2021年度Top 10電源產品獎獲獎產品。這款穩壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝,以其高達40 A的額定輸出電流,優于前代穩壓器的功率密度和瞬變響應能力受到表彰。Top 10電源產品獎已連續舉辦十九屆,成為業內創新電源產品的標志性獎項。獲獎產品由工程師投票,經21IC編委會綜合技術創新、能效、應用開
        • 關鍵字: MOSFET  

        雙脈沖測試基礎系列:基本原理和應用

        • 編者按雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法,貫穿器件的研發,應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統設計中從容的調試驅動電路,優化動態過程,驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用,對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試?在以前甚至是今天,許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的,而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要,但是往往這樣看不出具體的開關損耗,電壓或者電流的尖峰情況,以及
        • 關鍵字: MOSFET  

        基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調光LED照明降壓方案

        • 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續導通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應用是LED照明系統、模擬/PWM可調光LED驅動器,模擬調光范圍寬,從1%到100%。安森美專有的LED電流計算技術和內部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移,在整個模擬調光范圍內進行精確的穩流,穩流精度在滿載時<±2%,在1%的負載時<±20%。卓越的調光特性可根據負載情況在CCM (N
        • 關鍵字: MOSFET  

        Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關損耗

        • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加,以滿足更低的碳排放目標,基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產品組合,Microchip推出一款全新 ”生產就緒”的1200V數字柵極驅動器,為系統開發人員提供多層級的控制和保護,以實現安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動器,可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來說,Microchip的Agi
        • 關鍵字: Microchip  碳化硅  MOSFET  
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        碳化硅 mosfet介紹

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