目前影響著車輛運輸和半導體技術的未來有兩大因素。業界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅動我們的汽車，同時重新設計支撐電動車（EV）子系統的半導體材料，大幅提升功效比，進而增加電動車的行駛里程。政府監管機構持續要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規行為給予嚴厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區域增設電動車充電基礎設施。但是，盡管取得了這些進展，主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關于行駛里程的
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碳化硅 牽引逆變器 電動車 ADI
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩壓器模塊（VRM）應用中的優勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率，高
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單芯片 驅動器 MOSFET DrMOS 電源系統設計
近日，安森美公布了2022年第三季度業績，其三季度業績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數據顯示，其三大業務中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領域，從傳統的I
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安森美 SiC MOSFET
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。 多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創新的頂部冷卻，幫助設計人員解決具挑戰的汽車應用，特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發到散熱器上，而不是通過傳統的印刷電路板（以下簡稱“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發熱，從而提高功率密度
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安森美 Top Cool封裝 MOSFET
2022年11月16日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡稱“SiC”）技術，這是兩家公司戰略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動汽車VISION EQXX主驅逆變器的能效并減輕了其重量，使電動汽車的續航里程增加10%。這款電動汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動車
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安森美 碳化硅 純電動汽車 充電
本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯網數據中心中的應用和發展趨勢。對目前熱門的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術做了介紹，并著重說明了碳化硅器件在UPS應用中的優勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案，最后基于50 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯網數據中心(Internet Data Center,IDC),是集中計算和存儲數據的場所，是為了滿足互聯網業務以及信息服務需求而構建的應用基礎設施。受新基建、數字經濟等國家政策影響以及新一代信息技術發展的驅動，我國數據中心市場規模增長迅猛。隨著
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Infineon 碳化硅 UPS
在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
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Digi-Key MOSFET
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現系統的低損耗和小型化。東芝推出并已量產的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產品，其最大亮點是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
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Toshiba MOSFET
2022年11月14日，美國北卡羅來納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動交通電池管理和充電技術的全球引領者 AMP 公司將在其電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創新型碳化硅技術，將助力 AMP 優化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協議。此次合作將提高半導體供應鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場對先進碳化硅解決方案迅速增長的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業界領先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協議還會為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
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11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業鏈領先企業的講師親臨現場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨，怎么能
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· 在“重塑未來”戰略指引下，捷豹路虎正在向電動化優先轉型，全力開啟未來出行之路，在 2039 年實現凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰略合作將確保碳化硅（SiC）半導體技術的供應，并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發現、路虎?衛士、捷豹汽車電動化的重要組成部分· &
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綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統，為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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碳化硅 SiC 電源管理 可配置數字柵極驅動 萬物電氣化
本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢，與方案選擇的應用思考。線性MOSFET是線性模式應用時最合適的選擇，能夠確保可靠的運作。然而，用于線性模式應用時，標準MOSFET容易產生電熱不穩定性，從而可能導致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
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Littelfuse 線性功率 MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
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