碳化硅 mosfet 文章 最新資訊
最全！20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃
- 中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)：揚(yáng)杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認(rèn)證，連續(xù)數(shù)年評為中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)。國內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長晶科技（JSCJ）· 主要產(chǎn)品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
- 關(guān)鍵字： MOSFET 楊杰科技 長晶科技
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和超低導(dǎo)通電阻的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機(jī)型，新產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導(dǎo)體進(jìn)一步降低功率損耗。針對這種
- 關(guān)鍵字： MOSFET
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
- 在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電
- 關(guān)鍵字： MOSFET
東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項(xiàng)電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關(guān)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用
- 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導(dǎo)體模塊在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用。此次合作項(xiàng)目為動(dòng)力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進(jìn)的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動(dòng)汽車廠商采用SiC MOSFET動(dòng)力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET？
- DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖1：降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個(gè)FET會(huì)根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進(jìn)行開關(guān)操作，旨在達(dá)到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源 MOSFET
Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在原型設(shè)計(jì)前對電熱及EMC性能進(jìn)行評估。模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，工程師此
- 關(guān)鍵字： Nexperia 電熱模型 MOSFET
羅姆SiC評估板測評：快充測試
- 一、測試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應(yīng)設(shè)備
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
- 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅 mosfet相關(guān)帖子
碳化硅 mosfet資料下載
碳化硅 mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473