碳化硅 mosfet 文章 最新資訊
ADI浪涌抑制器——為產品的可靠運行保駕護航
- 一、復雜的電子環境汽車、工業和航空電子設備所處的供電環境非常復雜，在這種惡劣的供電環境中運行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統供電應用為例，該系統不但需要滿足高可靠性要求，還需要應對相對不太穩定的電池電壓，具有一定挑戰性；與車輛電池連接的電子和機械系統的差異性，也可能導致標稱12 V電源出現大幅電壓偏移。事實上，在一定時間段內，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態電壓在汽車和工業系統是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
- 如今，越來越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個主要因素（在一個簡化模型中）：一個是串聯阻抗，稱為rds(on)，另一個是并聯電容，稱為coss。這兩個晶體管參數限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術，設計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會增加，這會導
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意法半導體推出第三代碳化硅產品，推動電動汽車和工業應用未來發展
- ※? ?意法半導體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用※? ?持續長期投資 SiC市場，意法半導體迎接未來增長服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進在電動汽車動力系統功率設備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。作為 Si
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CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現其所建立的合作伙伴關系
- 高溫半導體和功率模塊方面的領導性企業CISSOID 公司，與技術領先的、為新能源汽車超快速和超高安全性實時控制提供現場可編程控制器單元（FPCU）半導體架構的發明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC） 智能功率模塊（IPM）平臺實現了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動汽車電機驅動的緊湊型高效碳化硅逆變器的開發。該合作伙伴關系將提供一個碳化硅逆變器的模塊化平臺，從而提供高
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安森美發布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應用于服務器和電信
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)，近日發布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組--FAST、Easy Drive和FRFET經過優化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務器和電信系統是
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產線
- 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據Yole數據，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導體占據了90%的市場份額。國產廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發和量產能力的企業鳳毛麟角。近日，據業內人士透露，國產碳化硅功率器件供應商派恩杰半導體（杭州）有限公司（簡稱派恩杰）的SiC MOSFET產品在新能源汽車OBC應用驗證取得了重大突破，獲得了新能源汽車
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安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅動器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導體/驅動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業的創新和發展做出杰出貢獻的企業和個人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎者。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產品類獎項，同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
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東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現在可直接通過該光耦驅動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數量并實現設計小型
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非常見問題第191期：負載點DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問題
- 問題：為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優勢，但實現POL轉換需要特別注意穩壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態響應的最佳方法之一。負載點轉換器是一種電源DC-DC轉換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應用中，高級駕駛員輔助系統(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統——中使用的傳感器數量在穩步倍增，導致需要更快的數
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Diodes Incorporated 目標電動汽車產品應用推出高電流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據的 PCB 面積少了百分之二十。產品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產品成為高可靠性電力產品應用的最佳選擇，像是能量熱回
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
- 功率器件作為半導體產業的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業界的持續關注。如今，在生產工藝不斷優化、成本持續降低的情況下，老牌大廠與初創企業紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產能爬坡階段。作為半
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