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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲芯片

        存儲芯片 文章 進入存儲芯片技術社區

        SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內存芯片新王

        • 4月24日消息,韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報,Q1營業利潤同比增長158%,為7.44萬億韓元(約合52億美元),超過預期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%,達到17.63萬億韓元。數據顯示,這是SK海力士第二好的季度業績,此前該公司上一季度營收和營業利潤均創歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商,SK海力士受益于HBM等AI關鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1,SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內,SK海力士占據了DRAM市場36%的份額,而三星是34%。
        • 關鍵字: SK海力士  存儲芯片  HBM  

        HBM4標準正式發布

        • 據報道,當地時間4月16日,JEDEC固態技術協會宣布,正式推出HBM4內存規范JESD270-4,該規范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據介紹,與此前的版本相比,HBM4標準在帶寬、通道數、功耗、容量等多方面進行了改進。其中,HBM4采用2048位接口,傳輸速度高達8Gb/s,HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度,單堆棧容量可達 64GB。此外,HBM4將每個堆疊的獨立通道數加倍,從16個通道(
        • 關鍵字: HBM4  存儲技術  存儲芯片  

        歐洲重啟存儲芯片生產:德國鐵電FMC押注新非易失性內存技術FeRAM

        • 4 月 8 日消息,德國鐵電存儲器公司(FMC)宣布與半導體企業 Neumonda 達成戰略合作,將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片(FeRAM)生產線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國DRAM 工廠破產關停后,歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產。▲ 圖源:Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發的 "DRAM+" 技術。該技術采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物(HfO?)作為鐵電層,替代傳統鋯鈦酸鉛 PZT 材料,存儲容量從傳統 FeRAM 的 4-
        • 關鍵字: 歐洲  存儲芯片  生產  德國  鐵電FMC  非易失性內存  FeRAM  

        存儲芯片,正式漲價

        • 今日,存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此,存儲市場長達多半年的低迷態勢,終于迎來轉折。存儲芯片的兩大主力產品 NAND 與 DRAM,在新一季度的市場表現也各不相同。NAND,開始漲價打響漲價第一槍的是 NAND 存儲大廠閃迪,其表示將于4月1日開始實施漲價,漲幅將超10%,該舉措適用于所有面向渠道和消費類產品。緊接著美光也告知將針對新訂單提高價格,平均漲幅約 11%。3 月 25 日,美光直接發布漲價函,預計此次漲價幅度將在10%~15%。之后,SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調NAND閃存價格。根
        • 關鍵字: 存儲芯片  

        總投資30.5億元!中微公司在四川成都建研發基地

        • 3月3日消息,據報道,中微公司宣布擬在成都市高新區投資設立全資子公司中微半導體設備(成都)有限公司,建設研發及生產基地暨西南總部項目。據披露,中微公司將在2025年至2030年期間投資約30.5億元,用于該公司在成都市高新區建設研發中心、生產制造基地、辦公用房及附屬配套設施,配備先進的自動化生產線和高精度檢測設備,滿足量產需求。此外,該公司將積極推動公司上下游供應鏈企業落戶成都高新區,推動形成半導體高端裝備產業鏈集群。2月21日,中微公司與成都高新區簽訂合作協議,將在成都高新區落地研發及生產基地暨西南總部
        • 關鍵字: 中微半導體  高端邏輯  存儲芯片  

        拆解華為Mate 70 存儲芯片來自SK海力士

        • 華為Mate 70系列旗艦手機12月4日正式開賣,研究公司TechInsights拆解后發現,該款手機采用南韓SK海力士制造內存芯片,主因在于美國禁止對中國大陸出口先進芯片制造設備,而大陸制造的內存芯片選擇受限。《南華早報》報導,根據TechInsights的分析,華為Mate 70 Pro手機搭載SK海力士12GB低功耗行動DRAM及512GB NAND,高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東(Jeongdong
        • 關鍵字: 華為  Mate 70  存儲芯片  SK海力士  

        存儲芯片市場,風口大開!

        • 當前,半導體已然成為國家科技發展的關鍵。尤其是隨著國產化浪潮進一步推進,國內A股市場半導體領域兼并重組案例時有發生,跨界并購亦是屢見不鮮。前有TCL、海爾、格力、創維等傳統家電入局造芯,后有百度、阿里、騰訊等互聯網企業跑步進場,此外百貨零售企業友阿股份、醫藥廠商雙成藥業、工業殺菌劑原藥劑企業百傲化學、房地產商皇庭國際等都也都在籌劃或正在布局半導體領域。近日,半導體領域又見跨界并購,而這次發起收購的企業是有“溫州鞋王”之稱的浙江奧康鞋業股份有限公司(以下簡稱“奧康股份”),其瞄準的是存儲芯片領域。“溫州鞋王
        • 關鍵字: 存儲芯片  

        SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預計明年 1b DRAM 產能將擴大到 16~17 萬片

        • 12 月 20 日消息,據 TheElec 報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單,但具體額度未知。消息人士稱,博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片,并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM,SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片(IT之家注:單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
        • 關鍵字: 存儲芯片  SK海力士  HBM  

        美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國生產芯片

        • 12 月 11 日消息,美國商務部周二表示,作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分,美光科技已獲得高達 61.65 億美元(當前約 448.07 億元人民幣)的撥款,用于在美國制造半導體。該機構表示,這筆資金將支持美光的“二十年愿景”,即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠,并創造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示,美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外,美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協議,將額外提供 2.75 億美元資金,用于擴建
        • 關鍵字: 美國  美光科技  生產芯片  半導體  DRAM  內存芯片  存儲芯片  

        存儲芯片行業多點開花,復蘇腳步提速!

        • 近日,存儲市場多點開花,喜報頻傳。鎧俠正式開啟首次公開募股,計劃10月上市;行業消息顯示西部數據已開始剝離NAND和SSD業務;SK海力士子公司Solidigm二季度首度實現盈利,并積極推進IPO進度;此外據行業消息,繼臺積電以后,存儲大廠美光計劃買下友達兩座大廠以擴產HBM產能;另外佰維存儲、兆易創新等多家存儲企業紛紛披露最新財報。01鎧俠正式開啟首次公開募股,計劃10月上市據日媒報道,得益于人工智能(AI)市場對半導體需求的不斷飆升,日本存儲大廠鎧俠已于8月23日向東京證券交易所提交了上市申請,目標在
        • 關鍵字: 存儲芯片  

        年中已過,存儲芯片Q3漲勢如何?

        • 在這半年的時間里,存儲芯片市場經歷了多次價格波動。從年初的平穩開局,到隨后的快速上漲,再到近期的波動調整,每一次價格變動都牽動著業界的神經。那么,這半年來存儲芯片究竟漲價幾何呢?機構預測和各原廠的漲價計劃根據集邦咨詢數據顯示,2024 年第一季度,DRAM 芯片合約價格上漲多達 20%,NAND 閃存則是上漲多達 23%—28%。近日,TrendForce 還對第二季度存儲產品價格作了最新預測,TrendForce 表示存儲芯片價格或將持續上漲,第二季度 DRAM 合約價季漲幅將上修至 13~18%;NA
        • 關鍵字: 存儲芯片  

        韓國半導體出口創新高,存儲芯片同比大增88.7%

        • 據韓聯社報道,韓國科技信息通信部7月15日發布的數據顯示,今年上半年韓國信息通信技術(ICT)產業出口額同比增長28.2%,達1088.5億美元,創下歷年同期第二高紀錄。在AI人工智能、IT信息技術和通信設備市場需求支撐下,韓國主力出口產品之一的半導體出口額同比猛增49.9%,達658.3億美元。從半導體產業細分領域來看,由于高帶寬存儲器(HBM)等產品出口增加,上半年韓國存儲芯片出口增勢迅猛,同比驟增88.7%。此外,得益于服務器和數據中心投資增加以及個人電腦等設備需求增加,計算機和周邊設備出口同比增長
        • 關鍵字: 韓國半導體  存儲芯片  

        華邦電子亮相慕展 以創新驅動存儲芯片技術

        • 在2024年慕尼黑上海電子展的璀璨舞臺上,華邦電子以其卓越的產品、領先的技術和廣泛的應用解決方案吸引了眾多業界目光。作為存儲芯片領域的佼佼者,華邦電子不僅展示了其在DRAM、閃存及安全閃存等方面的最新成果,還帶來了極具性價比和差異化價值的存儲產品CUBE,以滿足邊緣 AI不斷增長的需求。本次采訪,我們有幸邀請到了華邦電子產品總監朱迪先生,深入探討了華邦電子的產品、技術及應用領域的最新動態。“大家好,我是華邦電子產品總監朱迪。”在慕尼黑上海電子展的華邦電子展臺E4館-4110,朱迪先生以飽滿的熱情開啟了本次
        • 關鍵字: 華邦電子  上海慕尼黑電子展  存儲芯片  

        半導體產業迎爆發新風口,存儲芯片廠商重金“下注”

        • 自ChatGPT發布以來,人工智能AI迅速席卷全球,引發了新一輪的科技革命。與此同時,隨著HBM市場需求持續火爆,以SK海力士、三星、美光等為代表的半導體存儲芯片廠商亦抓住機會轉變賽道,開啟了新一輪的市場爭奪戰。投資約748億美元存儲芯片廠商SK海力士押注AI近日,據彭博社及路透社等外媒報道,半導體存儲芯片廠商SK海力士計劃投資103萬億韓元(約748億美元)發展芯片業務,重點關注人工智能和半導體領域。報道稱,韓國SK集團上周日在一份申明中表示,旗下存儲芯片廠商SK海力士計劃在2028年前投資103萬億韓
        • 關鍵字: 半導體  存儲芯片  

        我國科學家技術突破 存儲芯片無限次擦寫引圍觀:TLC、QLC買誰 恐不再糾結

        • 7月1日消息,據國內媒體報道稱,四川科學家借力AI 開發出"耐疲勞鐵電材料",讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到,電子科技大學光電科學與工程學院劉富才教授團隊聯合復旦大學、中國科學院寧波材料技術與工程研究所在國際知名學術期刊《Science》上發表最新研究成果,開發出"耐疲勞鐵電材料",在全球范圍內率先攻克困擾領域內70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經歷反復極化切換后,極化只能實現部分翻轉,導致鐵電材料失效,即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發現報道,
        • 關鍵字: 存儲芯片  TLC  QLC  
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