存儲芯片大漲黑夜將過？哪些環節值得重點關注？

1、存儲芯片明年下半年可能出現短缺？

半導體產業是強周期、成長性兩大特征都很明顯的典型行業，大致上遵循4到5年完成一輪盛衰轉換的規律，從谷到峰的上行周期通常1-3年時間，從峰到谷的下行周期通常1-2年時間，牛長熊短。

從近10年來DRAM、NAND Flash存儲芯片價格起伏規律來看，本輪下行周期已經持續了一年半，根據牛長熊短的周期分布和DRAM、NAND Flash近日調漲的價格信號，當前可能已經處于下行尾部重拾升勢的醞釀階段。

據韓媒報道，日前多位消息人士透露，三星內部認為目前NAND Flash供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲NAND Flash產品的合約價格，漲幅在10%以上；預計最快本月新合約便將采用新價格。

事實上，僅僅在上半年，三星、SK海力士、美光三大巨頭在存儲芯片領域的虧損已經高達千億美元，如此巨額虧損迫使它們不得不采取措施，不斷提價無疑就是懸崖勒馬的自救之舉，否則前幾年的利潤積累有可能在短時間內消耗殆盡。

作為市占率第一的存儲制造商，今年以來，三星一直奉行減產保價戰略，1月、4月已連續宣布調整晶圓投入。最初的減產舉措主要集中在DRAM領域，之后下半年三星開始著手大幅削減NAND Flash業務產量，眼下正試圖推動NAND價格正常化。

如今DRAM已出現價格反彈，而NAND產品仍存突破空間。三星目標是擴大減產規模，降低供應量，再提高產品價格來尋求反轉，其期望明年第二季實現NAND盈虧平衡點。SK證券研究員Han Dong-hee認為，三星的第二波減產計劃和獲利優先政策有望帶動存儲芯片價格反彈。

值得一提的是，三星9月已與客戶（包括小米、OPPO及谷歌）簽署了內存芯片供應協議，DRAM和NAND閃存芯片價格較之前合同價格上調10%-20％。三星電子預計，從第四季度起存儲芯片市場或將供不應求。

另外，原廠近期已通知下游廠商，Q4將調漲合約價。不同產品漲幅不同，但漲幅幾乎都在雙位數水平，其中NAND Flash Q4合約價有望漲一至兩成，DRAM則約漲一成。

10月初，威剛董事長陳立白表示，存儲芯片產業苦熬兩年，黑暗將過，2024年下半年更可能出現短缺。他認為，由于三大存儲芯片巨頭積極減產，效益開始顯現，NAND及DRAM近期現貨價皆從低谷處呈現雙位數反彈。目前業內買賣雙方正在洽談合約價，陳立白估計，DRAM及NAND Flash第四季度合約價將上漲10%-15%，三星甚至計劃調漲20%，仍待觀察成交價。

2、哪些環節有望斬獲超額收益？

面對國際巨頭不斷調漲價格，國內廠商又將采取何種策略應對形勢變化，是跟隨路線還是按兵不動？

有觀點認為，國內存儲芯片制造商如長江存儲，可以趁機通過低價拓展客戶，搶占市場份額，但實際上，長江存儲的產能相對較小，無法滿足大規模市場需求。在存儲芯片市場，三星、SK海力士、美光這三大廠商合計占據全球80%以上的市場份額，據2023年第一季度的數據顯示，長江存儲的市場份額還不到4%。

因此，存儲芯片市場漲價將會成為主旋律，從行業供給端來看，中信證券(600030)預計，2023年行業供給增速將低于需求增速，供需將逐步達到平衡，有助于庫存修復，看好存儲板塊周期2023年下半年見底。需求端而言，目前終端廠商已處于去庫存的后期，全年出貨有望呈現前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趨勢。

結合周期和供需的角度來看，隨著庫存去化，需求逐步回歸，行業細分龍頭有望迎來業績修復機會，國內存儲產業鏈周期復蘇疊加本土化趨勢，存儲模組、存儲芯片設計、存儲配套芯片環節存在值得布局的投資機遇。

此外，DRAM及NAND Flash價格往往作為代理跟蹤半導體景氣度的先行指標，如歌產業整體回暖，從復蘇節奏看，半導體一般自下而上復蘇，首先是下游終端需求發力，繼而傳導至中游的芯片設計、封測公司和晶圓廠，最終影響到上游的設備材料，因此，順周期的封測、制造以及國產替代驅動的半導體設備、半導體材料均值得密切關注。

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