博客專欄

        EEPW首頁 > 博客 > 存儲芯片還在漲價,除了三巨頭誰還能賺到錢?

        存儲芯片還在漲價,除了三巨頭誰還能賺到錢?

        發布人:傳感器技術 時間:2024-07-06 來源:工程師 發布文章

        在經歷了產能過剩、大幅降價、大廠減產、價格回升后,存儲芯片正逐漸回到正常的供需區間。


        自去年10月SK海力士官宣DRAM、NAND Flash芯片合約價上調10%-20%后,今年1月三星、美光也表示,在第一季度要將DRAM芯片的價格調漲15%-20%。而到今天,各大廠仍在向客戶發漲價函。


        TechInsights統計數據顯示,截至2024年2月16日的一周,DRAM銷售額同比增長79%。預計2024全年,全球DRAM芯片銷售額將增長46%,達到780億美元。可見,市場向好的趨勢已非常明確。



        擴產、漲價不斷,存儲還在走上升期


        自去年下半年開始,全球存儲芯片市場經歷了一系列積極變化,在一定程度上反映了行業整體的復蘇態勢和對先進技術需求的增長。在這一背景下,多家企業宣布了價格調整和產能擴張計劃,顯示出對市場前景向好的預期。


        其中,三星電子作為行業的領頭羊,計劃在2024年第三季度對其DRAM和NAND Flash產品實施價格上調,預計漲幅在15%到20%之間,這一決策已經得到了主要客戶的認可。這也是三星在2024年第三次宣布漲價,此舉一定程度上提振了整個行業的信心


        不僅如此,美光科技也傳來喜報,其第三財季的營收超出市場預期,達到68.1億美元。另一方面,市場中企業級固態硬盤(eSSD)需求激增,三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度滿負荷運行NAND生產線。


        與此同時,存儲模組、主控、封測廠也都傳來了好消息,比如佰維存儲福懋德明利均報告了業績的顯著提升。佰維存儲預計上半年凈利潤在2.8至3.3億元之間,實現了同比扭虧為盈的佳績。而福懋科技則在存儲芯片封測領域持續擴產,據悉,其累計今年前五個月營收為39.79億元,較去年同期成長16.69%。德明利則在第一季度就完成8.11億元營收同比增長168.52%,凈利潤1.95億元同比扭虧為盈。


        更值得一提的是,鎧俠在經歷了長時間的市場調整后,于第四財季達成了31%的營收增長,不僅實現了六個季度以來的首次盈利,還停止了長達20個月的減產措施


        通過以上積極的行業發展動態,不難看出存儲芯片市場正在加速回暖,同時也為企業帶來了新的增長機遇。業內人士預計,這波向好的行情至少將持續到2025年上半年。



        除了HBM,哪些品類也很熱?


        在AI的推動下,HBM(高帶寬存儲器)技術因其在數據傳輸速度和容量方面的優勢,成為存儲芯片市場的新星。尤其高性能計算和數據中心領域需求迅速增長。目前SK海力士、三星、美光三大存儲廠商的產能已經被訂滿。


        其中,三星預計2024年HBM產能將增至去年的2.9倍。三星公司執行副總裁兼DRAM產品和技術主管Hwang Sang-joong表示,他們計劃在2024年上半年大批量生產12層的第五代HBM3e和基于32千兆位的128 GB DDR5。而美光科技CEO Sanjay Mehrotra則表示,其高性能存儲器(HBM)產品已全部售罄,且2025年的大部分產能也已被預訂。


        不過,除了HBM之外,其他的存儲芯片產品也迎來了市場回暖,比如NAND Flash。根據TrendForce的數據,2024年第一季度,全球NAND Flash產業的營收環比增長了28.1%,顯示出市場的強勁動力。


        圖片

        2024Q1全球NAND Flash品牌廠商營收情況(圖源:TrendForce)


        與此同時,供應短缺的情況也開始出現。由于數據中心對大容量SSD的需求激增,可能導致下半年NAND供應緊張。據了解,預計在第三季度,企業級NAND芯片的價格將上漲10%左右,市場將有可能出現供不應求的情況。


        另一方面,通用型DRAM也面臨著供應短缺的問題。隨著業界對HBM的大量投資,通用型DRAM的產能開始被占用,在未來將可能出現缺貨情況。并且,隨著智能手機和PC制造商推動AI功能的普及,通用型DRAM的需求或將進一步提升。業界普遍認為,終端設備AI能力的普及將是推動通用型DRAM市場增長的關鍵因素。


        如今,在AI技術的推動下,存儲芯片市場正經歷著快速的變化,HBM、NAND Flash和通用型DRAM等產品都在受到市場的青睞。而未來,這一趨勢將持續很長時間,也給布局AI產品的存儲廠商帶來了機會。



        下一步——必須蹭上AI的風口


        隨著AI技術的飛速發展,一系列B端應用如安防、金融等都開始提出大模型的需求,而在運力、算力、存力三步走的AI時代,存儲芯片廠商也正積極布局AI相關產品,以適應這一新興市場的需求。


        以華邦電子為例,其推出的CUBE產品,就以卓越的性能和專為端側AI設計的特性,成為了市場的焦點,被稱之為“小號HBM”。據介紹,CUBE的帶寬可到達16GB/s至256GB/s,相當于HBM2, 或32個LP-DDR4x4266Mbpsx16 IO。


        目前,隨著端側AI應用場景的大幅擴展,從智能監控、自動駕駛到智能家居,都對存儲性能提出了更高要求。而這也帶來了算力下沉的新趨勢,即云端的算力下放到邊緣端通過在邊緣端做推理或者少量訓練保證用戶的敏感數據和信息安全。


        圖片

        華邦電子線下活動


        不過在此類場景下,并非每個應用都需要HBM這樣多層堆疊、極高性能的產品。在這樣的背景下,華邦電子的CUBE便能以較低的成本發揮極大價值。據了解,CUBE擁有四大優勢:包括低功耗、超高帶寬、極小尺寸、高經濟效益。尤其對于客戶而言,可以有效為其降低成本,因為理想情況下,CUBE可以幫助一些傳感器實現數據預處理,降低主控芯片的算力需求。


        當然,在AI浪潮下,除了華邦電子外,各大存儲芯片公司都帶來新產品或新布局。


        以國內廠商為例,比如江波龍自研的CXL 2.0內存,通過提供彈性拓展的方式,可以適應現代數據中心大規模數據處理的需求;也比如佰維存儲擬定增募資建設的晶圓級先進封測項目,可以構建HBM實現的封裝技術基礎;而主控芯片廠商也不甘落后,慧榮科技面向AI手機市場,發布了全新的UFS 4.0主控芯片SM2756,英韌科技則面向AI PC發布了PCIe Gen5主控芯片YRS820。



        結語


        從HBM的供不應求,到NAND Flash和通用型DRAM的市場回暖,存儲芯片市場已呈現出多點開花的局面。各大廠商的漲價函、產能擴張計劃、以及業績的顯著提升,都是市場復蘇的有力證明。


        同時,供應鏈上下游企業的積極變化,從存儲模組、主控、封測廠到終端設備制造商,整個產業鏈都在為AI時代的到來做好準備。


        展望未來,AI技術與存儲芯片的深度融合將是大勢所趨。存儲芯片廠商必須緊跟AI的風口,才能上升周期中尋找新的增量。同時,在AI的推動下,存儲芯片將迎來更加廣闊的發展空間,行業即將迎來一個新的黃金時代。 



        *博客內容為網友個人發布,僅代表博主個人觀點,如有侵權請聯系工作人員刪除。



        關鍵詞: 存儲芯片

        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 太原市| 丹阳市| 突泉县| 米易县| 大埔县| 道真| 梓潼县| 景东| 彭泽县| 岑溪市| 香格里拉县| 金川县| 西宁市| 敦煌市| 宽城| 大厂| 十堰市| 炎陵县| 英德市| 江口县| 滨州市| 缙云县| 酉阳| 林州市| 乌拉特前旗| 连江县| 吴旗县| 宁津县| 尼玛县| 汝阳县| 靖边县| 怀远县| 当雄县| 巴彦县| 布拖县| 天气| 潜江市| 万安县| 松阳县| 垦利县| 新民市|