存儲器 文章 最新資訊
瑞薩松下開發45nm傳統CMOS片上SRAM技術
- 瑞薩科技公司與松下電器產業有限公司宣布共同開發出一種可以使45nm工藝傳統CMOS*1的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作的技術，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設計，一個
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功
- 日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態存儲器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態存儲器。 靜態存儲器（SRAM）主要用作高速的存儲設備，例如處理器內部的高速緩存等存儲設備。 05年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現在能夠生產出70Mbit的SRAM將有助于將來處理器的制造。
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NOR標準化能否延續手機存儲器老大地位
- 市場調研表明，NOR閃存仍是手機存儲器的老大，它目前可以滿足95%以上手機存儲容量需求。但NOR閃存一直沒有標準化，給手機制造商帶來研發時間長、沒有第二供貨源等難題。近日，Intel和ST共同宣布，兩家公司針對手機存儲子系統，制定了NOR閃存規范，并將針對手機市場各自獨立設計、制造軟硬件兼容的NOR閃存產品，這一舉措能否去除NOR的軟肋，使它延續在手機制造商處的熱度？ 手機對存儲器依賴性增加 今天，市場上的手機已經成為流
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嵌入式存儲器面面觀
- 模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規模的芯片上，形成所謂的SoC（片上系統）。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重（面積）將逐漸增大。到2010 年，約90%的硅片面積都將被具有不同功能的存儲器所占據。 另一方面，微處理器的速度以每年60%遞增，但主存的速度每年僅增長10%左右。二者之間的性能差異越來越大。計算機
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KLA-Tencor 發布最新存儲和邏輯器件明場檢測系統
- KLA-Tencor 推出 28xx 明場檢測平臺的最新成員 2810 和 2815。通過特殊的光學配置，它們能有效地應對亞 55 納米存儲器件和亞 45 納米邏輯器件生產中所面臨的獨特缺陷檢測挑戰。無論是適合存儲器件缺陷檢測的 2810 系統，還是適合邏輯器件檢測的 2815 系統，都依靠 KLA-Tencor 業界領先的全光譜光源技術以捕獲最廣泛的缺陷類型，包括嚴重影響成品率的沉浸光刻缺陷。與以往的 2800 系統相比，在同等靈敏度條件下，新系統可在多種應用中實現兩倍以上的生產能力。 “在
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富士通兩款2Mbit FRAM內存芯片上市
- 富士通微電子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM內存芯片已開始供貨上市，該產品號稱為目前全球可量產的最大容量FRAM組件。 富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內建非揮發性內存，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入周期等特點，適用于汽車導航系統、多功能打印機、測量儀器及其它需使用非揮發性內存來儲存各種參數、記錄設備操作條件與保存安全信息的各項高階應用。 &nb
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現貨市場熱銷 將帶動內存合同價格上揚
- 受近日現貨市場DRAM內存價格出現反彈影響，業界人士指出將成為內存合同價格出現大范圍反彈的信號。 DRAMeXchange表示，eTTDDR2內存的價格在一個星期之內上升了27.5%，在6月20日達到2.04美金。而DDR2內存在同一時期也保持了20%的增幅，DDR2內存現在價格已達到2.21美金（667MHz）和2.19美金（533MHz）。 eTT內存主要供
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RAMTRON宣布推出基于8051微控制器VRS51L3174
- Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174這款基于8051微控制器，帶有8KB非易失性FRAM內存，工業標準的44腳QFP封裝，可以簡便的實現器件升級。Ramtron已將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性數據存儲和處理系統，而該系統只有FRAM-Enhanced™ (增強型) MCU才能提供。 VRS51L3174將8KB FRAM內存與全
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DRAM價格回暖 芯片廠商股價大幅上漲
- 今天，矽瑪特（SigmaTel）與珠海炬力集成電路設計有限公司就雙方正在進行的專利糾紛達成和解。根據和解協議條款，雙方將撤銷所有針對對方的未決訴訟。同時，作為和解協議的一部分，雙方亦達成了為期三年的專利交叉授權協議。和解協議的財務條款不會對外公開。 此外，雙方還就彼此所擁有的全部專利，達成了交互授權協議。 矽瑪特首席執行官 Phil&nbs
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行業組織再推硬盤加密新標準 三年內普及
- 海外媒體消息，可靠計算組織于6月19日公布了一項旨在加強存儲設備安全性的新標準。該標準將大大提高現有存儲設備的安全性，預計會在以后的三年內大規模推廣。 該標準采用一種特殊的方法在存儲設備上建立一個分區，生成和保存密匙，防止未授權用戶訪問設備上的數據。它同時還具有所謂的全盤加密功能，以防磁盤丟失。而且它還具備快速擦除能力，方便用戶重新定義。該技術還可以同其他加密技術合用，進一步提高系統的安全性。 目前生產帶全盤加密技術的硬盤的廠商有希捷和日立公司，它們針對的市場都是商用筆記本，實現得方式十分
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DRAM價格回暖 芯片廠商股價大幅上漲
- 北京時間6月21日硅谷動力從國外媒體處獲悉：當地時間本周四，由于計算機內存芯片價格大幅上漲，包括韓國現代半導體在內的主要亞洲芯片生產商股價均呈現不同程度的上漲。 根據DRAMeXchange公布的數據顯示，本周三512MB DDR2內存的現貨價格上漲17%，這同時也是疲軟的內存市場近期出現的罕見的價格反彈現象。由于產量增加再加上市場需求低于預期，今年DRAM芯片價格大幅下滑，各大內存芯片廠商也因此受到不同程度影響。 業內分析人士指出，本周三內存現貨價格反彈可能也只是暫時現象，但同時也堅
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富士通宣布批量提供2Mbit的鐵電存儲器IC
- 富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數據寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導航系統、多功能打印機、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數、記錄設備操作條件并安全保存信息的高端設備的理想選擇。 FRAM的高速數據寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設備中存儲計數或參數、記錄各種事項之用。FRAM有100億個讀/寫周期，
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Freescale擴展MRAM的產品系列
- 嵌入式半導體設計和制造領域的Freescale半導體成功推出3伏4Mbit擴展溫度范圍（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM） 產品，從而擴展了公司獲獎的磁電阻式隨機存儲器 （MRAM）系列產品。該設備可用于惡劣的應用環境，如工業、軍事、航空和汽車設計等。 Freescale還通過推出一種1Mbit器件擴展了它的商用MRAM 產品系列。該器件可為系統設計師提供一種密度選擇，并專注于主流嵌入式產品市場上的“sweet spot”。此外，Freescale還計劃進一步擴
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Teradata采用LSI Engenio 6998存儲系統開發磁盤備份系統
- LSI 公司日前宣布NCR旗下的Teradata公司已選用LSI為其下一代備份、存檔和恢復(BAR)解決方案提供企業關鍵數據保護。LSI Engenio 6998存儲系統產品將被用于Teradata新發布的9204磁盤備份(Backup-to-Disk,B2D)系統，提供給其數據倉庫客戶。 LSI和Teradata 已有15年的合作關系，此次新合作將充分發揮兩家公司在工程、銷售和市場之間的協力合作，為Teradata數據倉庫客戶提供一款緊密集成的磁盤備份解決方案。 Teradata研發部門
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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