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三星再度轉(zhuǎn)換生產(chǎn)線 調(diào)整內(nèi)存閃存失衡
- 由于近期市場(chǎng)上NAND閃存的價(jià)格出現(xiàn)反彈,控制了市場(chǎng)約40%份額的三星電子決定調(diào)整產(chǎn)能,將原生產(chǎn)DRAM內(nèi)存的部分生產(chǎn)線調(diào)整為生產(chǎn)NAND閃存。業(yè)界指出,三星此次產(chǎn)能調(diào)整始于上個(gè)星期,同時(shí),分析家認(rèn)為三星此舉將有利于DRAM內(nèi)存價(jià)格的穩(wěn)定,而對(duì)于NAND市場(chǎng)的影響,要到第二季度末才能顯現(xiàn)。據(jù)Sansung Securities的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,三星在調(diào)整產(chǎn)能后,第二季度末NAND閃存芯片的產(chǎn)能將達(dá)到23億塊(以每塊512Mb計(jì)算)。在下半年,三星NAND閃存芯片的產(chǎn)能還將進(jìn)一步升高。由于在DRAM上獲利頗豐
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存閃存 三星 消費(fèi)電子 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道,運(yùn)營(yíng)著一個(gè)在線DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱,最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%,每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來(lái)自4月上旬的合約價(jià)格,它們顯示出DR
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IBM讓芯片堆疊連接 導(dǎo)線作古CPU讀內(nèi)存快千倍
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,周四,美國(guó)半導(dǎo)體巨頭IBM公司宣布,他們研發(fā)出了一種垂直方向上以堆疊方式連接不同芯片的技術(shù),這種技術(shù)可以大大減少處理器和內(nèi)存之間的距離,從而加速數(shù)據(jù)的傳輸,并節(jié)省手機(jī)或者電腦的功耗。 利用IBM公司的研發(fā)成果,今天的不同芯片之間的導(dǎo)線將失去作用。眾所周知的是,在電腦或者手機(jī)中,微處理器和內(nèi)存芯片之間依然靠導(dǎo)線來(lái)傳輸數(shù)據(jù),相對(duì)于芯片內(nèi)部的晶體管相比,這種“遙遠(yuǎn)”的導(dǎo)線距離延緩了數(shù)據(jù)的傳輸,使得內(nèi)存訪問(wèn)成為系統(tǒng)性能的一個(gè)瓶頸。 在IBM公司的方案中,兩個(gè)芯片將被上下堆疊在一起,兩者之間的距離只
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富士通放棄生產(chǎn)1.8英寸硬盤
- 日前,富士通表示,他們已經(jīng)暫停了1.8英寸硬盤的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,因?yàn)槭痔嵩O(shè)備生產(chǎn)商更傾向于用閃存驅(qū)動(dòng)器作為存儲(chǔ)設(shè)備。 這家日本芯片及電腦業(yè)巨頭本來(lái)計(jì)劃從今年四月一日起的新財(cái)年上半年開(kāi)始生產(chǎn)1.8英寸硬盤,用于超輕便筆記本電腦和像蘋果iPod等數(shù)字音樂(lè)播放器。但現(xiàn)在廠商們發(fā)現(xiàn)閃存驅(qū)動(dòng)器更輕便和更高速——雖然成本也更高——足可以取代啟動(dòng)時(shí)間較長(zhǎng)的硬盤。 “我們希望看清楚廠商是否更偏愛(ài)閃存,還是繼續(xù)堅(jiān)持使用硬盤,”富士通發(fā)言人Masao Sakamoto說(shuō)。 在和希捷及西部數(shù)據(jù)這些行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者競(jìng)爭(zhēng)中,2.5英
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IDC:存儲(chǔ)虛擬化技術(shù)仍處于發(fā)展初期
- 作為一種幫助企業(yè)用戶降低IT成本、提高競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù),虛擬化在存儲(chǔ)和服務(wù)器領(lǐng)域都得到了長(zhǎng)足發(fā)展。 本周出現(xiàn)了大量關(guān)于虛擬化的評(píng)論,起因于開(kāi)源虛擬化軟件Xen支持iSCSI磁盤陣列和Sanbolic力挺微軟虛擬服務(wù)器,這展示了虛擬化市場(chǎng)的勃勃生機(jī)。虛擬化產(chǎn)品VMware、Virtual Iron和Xen在最近幾年更是得到了飛速發(fā)展。 近期,思科收購(gòu)了私人公司NeoPath來(lái)整合其虛擬化產(chǎn)品,NeoPath是一家提供高性能、高靈活性文件存儲(chǔ)器管理解決方案的領(lǐng)袖級(jí)廠商。 位于加利福尼亞的Ubicom公司的首
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4月DRAM合約價(jià)格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本
- 4月11日消息,據(jù)臺(tái)灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報(bào)道,運(yùn)營(yíng)著一個(gè)在線DRAM市場(chǎng)的集邦科技稱,最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價(jià)格4月又下降了16.7%,每芯片價(jià)格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過(guò)DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進(jìn)行買賣。最新的報(bào)價(jià)來(lái)
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針對(duì)企業(yè)及臺(tái)式硬盤驅(qū)動(dòng)器的放大器芯片
- TrueStore PA7800的運(yùn)行速度可達(dá)2.5Gb/s,同時(shí)在寫入模式下比上一代芯片可節(jié)省30%的電流。PA7800的數(shù)據(jù)率更強(qiáng),數(shù)據(jù)容量更高,且兼容新一代TMR讀取頭,并降低了功耗,從而實(shí)現(xiàn)了更高的處理能力。 PA7800具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先性能的關(guān)鍵在于該芯片的寫入器上升時(shí)間。它能測(cè)量前置放大器將電流轉(zhuǎn)換到讀取HHD盤或存儲(chǔ)媒介數(shù)據(jù)的寫入器讀取頭的速度。PA7800寫入器的上升時(shí)間比杰爾的前一代前置放大器產(chǎn)品提高了將近30%。
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基于FPGA的簡(jiǎn)易可存儲(chǔ)示波器設(shè)計(jì)
- 摘要: 本文介紹了一種基于FPGA的采樣速度60Mbit/s的雙通道簡(jiǎn)易數(shù)字示波器設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)量程和采樣頻率的自動(dòng)調(diào)整、數(shù)據(jù)緩存、顯示以及與計(jì)算機(jī)之間的數(shù)據(jù)傳輸。關(guān)鍵詞:數(shù)據(jù)采集;數(shù)字示波器;FPGA 引言 傳統(tǒng)的示波器雖然功能齊全,但是體積大、重量重、成本高、等一系列問(wèn)題使應(yīng)用受到了限制。有鑒于此,便攜式數(shù)字存儲(chǔ)采集器就應(yīng)運(yùn)而生,它采用了LCD顯示、高速A/D采集與轉(zhuǎn)換、ASIC芯片等新技術(shù),具有很強(qiáng)的實(shí)用性和巨大的市場(chǎng)潛力,也代表了當(dāng)代電子測(cè)量?jī)x器的一種發(fā)展趨勢(shì),即向功能多、體積小、重量輕、
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揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短發(fā)展FeRAM
- 存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥,或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件,有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性兩部分,它們各有所長(zhǎng),應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM,SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù),但是RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM(只讀存儲(chǔ)器)技術(shù),包
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亞洲市場(chǎng)成為Ramtron 2008年前最大目標(biāo)設(shè)計(jì)市場(chǎng)
- 非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前發(fā)布其亞太區(qū)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)擴(kuò)展戰(zhàn)略以及持續(xù)發(fā)展的最新部署,同時(shí)推出首款4Mb非易失性FRAM 存儲(chǔ)器FM22L16,成為推動(dòng)該公司在區(qū)內(nèi)繼續(xù)增長(zhǎng)的主要元素。 FRAM 技術(shù)的核心是將微小的鐵電晶體集成進(jìn)電容內(nèi),使到FRAM產(chǎn)品能夠象快速的非易失性RAM那樣工作。通過(guò)施加電場(chǎng),鐵電晶體的電極化在兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)之間變換。內(nèi)部電路將這種電極化的方向感知為高或低的邏輯狀態(tài)。每
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印度半導(dǎo)體離中國(guó)還很遠(yuǎn)
- 29年前,美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州,三個(gè)年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉(cāng)庫(kù)里,無(wú)意中開(kāi)始了一個(gè)名叫DRAM的芯片設(shè)計(jì)生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達(dá)52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動(dòng)了其在中國(guó)投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的封裝測(cè)試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項(xiàng)目啟動(dòng)典禮間隙,接受了本報(bào)記者專訪。這位年輕的CEO是個(gè)典型的冒險(xiǎn)家,擁有多架私人表演式飛機(jī),喜歡在空中做俯沖動(dòng)作。
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TI攜手Ramtron合作將FRAM技術(shù)提升至130nm工藝
- 德州儀器公司和Ramtron InternaTIonal Corporation 宣布:在 FRAM 技術(shù)發(fā)展中的創(chuàng)新里程碑,針對(duì) FRAM 存儲(chǔ)器達(dá)成了商用制造協(xié)議。該協(xié)議許可 Ramtron 的 FRAM 存儲(chǔ)器產(chǎn)品在 TI 先進(jìn)的 130 納米 (nm) FRAM 制造工藝中生產(chǎn)包括 Ramtron 
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Ramtron推出首個(gè)4兆位非易失性FRAM存儲(chǔ)器
- Ramtron International Corporation宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)4兆位 (Mb) FRAM存儲(chǔ)器,這是目前最高容量的FRAM產(chǎn)品,其容量是原有最大FRAM存儲(chǔ)器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù)和低功耗等特點(diǎn)。FM22L16與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容,并適用于工業(yè)控
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美光奇夢(mèng)達(dá)趕在三星前推出DDR3內(nèi)存
- 內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢(mèng)達(dá)和美光先于三星電子,推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營(yíng)銷副總裁簡(jiǎn)尼-馬凱(Jenn Markey)稱,長(zhǎng)期以來(lái)市場(chǎng)一直期待,速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會(huì)顯著增加的DDR3的出現(xiàn),只是奇怪美光和奇夢(mèng)達(dá)能在DRAM市場(chǎng)傳統(tǒng)領(lǐng)先者三星之前推出。 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到1600Mb/s(1600兆位/秒),電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特,這可降低能耗和延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池壽命。美光內(nèi)存部門高級(jí)營(yíng)銷主管比
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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