存儲器文章最新資訊

惠瑞捷增加并行機制以縮減存儲器測試開發(fā)時間

　　惠瑞捷半導體科技宣布將可編程接口矩陣應用于Verigy V5000e 工程工作站，以幫助存儲器制造商在應用V5000e進行工程，測試開發(fā)和調(diào)試時獲得并行測試能力。憑借該矩陣，V5000e 可以并行測試12顆芯片（DUT），減少產(chǎn)線上的操作人員的時間，同時大幅度提高了總產(chǎn)能。此矩陣還將V5000e的引腳數(shù)量從128提高到768個測試器資源引腳，從而能夠測量具有更高引腳數(shù)量的多種類型存儲器芯片，包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。　　由于產(chǎn)品壽命
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美光科技公司在中國啟動新制造工廠

2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負責生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導體產(chǎn)品的封裝測試。　　為此，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預計將于2008年底全部建成，總投資將達到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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串行存儲器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應用

1 概述行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中，事故疑點數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0．2s的時間間隔持續(xù)記錄并存儲停車前20 s實時時間所對應的車輛行駛速度及車輛制動狀態(tài)信號，記錄次數(shù)至少為1O次：行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止狀態(tài)，記錄儀提供的與實時時間對應的車輛行駛速度信息。記錄儀應能以不大于1 min的時間間隔持續(xù)記錄并存儲車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)，該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實時時間相對應的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。該記錄儀需要采用大容量
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瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)

　　瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(tǒng)(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經(jīng)測試證實，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元
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Ramtron和北天星將于4月聯(lián)手舉辦FRAM & MCU 技術(shù)、應用全國巡回研討會

　　Ramtron和其亞洲區(qū)總代理北天星將于4月份聯(lián)手在國內(nèi)5個城市（北京4/4，上海4/10，深圳4/12，西安4/24，成都4/26）舉辦非易失性鐵電存儲器（FRAM）和MCU全國巡回研討會．此次研討會將深入討論非易失性鐵電存儲器（FRAM）和MCU的產(chǎn)品和技術(shù)，并詳細介紹和探討其在中國各領(lǐng)域，包括軍工, 航天，數(shù)據(jù)采集, 計量, 汽車電子,汽車能源, 安全系統(tǒng), 工業(yè)控制, 通訊, 金融電子, 醫(yī)療機械等行業(yè)的應用。　　非易失性鐵電存儲器（FRAM）是一種擁有與RAM一致的性能,但又有與ROM
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06年硬盤銷量逆市上揚 07年面臨更大挑戰(zhàn)

　　國外媒體報道，根據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli公布的數(shù)據(jù)顯示，2006年全球硬盤總出貨量達到4.342億塊，較2005年的3.758億塊增長了15.5％。希捷、西部數(shù)據(jù)、日立仍然占據(jù)前三。　　2006年全球硬盤市場并不是一帆風順，希捷并購邁拓曾引發(fā)市場激烈的價格戰(zhàn)；諸多MP3廠商放棄微硬盤轉(zhuǎn)投閃存市場，導致了一英寸硬盤市場需求低迷；另外整個業(yè)界對混合硬盤的興趣越發(fā)濃厚，也大大影響了傳統(tǒng)硬盤市場。可是硬盤制造商們也付出了艱苦的努力，成功克服價格戰(zhàn)、原材料供應緊張以及競爭劇變等不利因素影響，在如此挑戰(zhàn)下仍
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2006年存儲硬件收入排名 EMC領(lǐng)跑IBM第二

　據(jù)國外媒體報道，Gartne公布最新調(diào)查報告稱，2006年在全球儲存硬件市場，EMC 公司銷售收入市場份額排名第一，IBM超過惠普奪取了第二的位置。　　Gartne表示，EMC的市場份額從2005年的23.4%上升到24.8%排在第一位，隨后是IBM公司，它的市場份額從2005年的14.5%上升到2006年的15.8%排名第二，惠普的市場份額從2005年的14.7%下滑到13.1%，從2005年的排名第二下降為第三。　　其他儲存硬件提供商的排名是，日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)的份額為9.6%排在第四位;戴
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串行存儲器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應用

1 概述行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中，事故疑點數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0．2s的時間間隔持續(xù)記錄并存儲停車前20 s實時時間所對應的車輛行駛速度及車輛制動狀態(tài)信號，記錄次數(shù)至少為1O次：行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止狀態(tài)，記錄儀提供的與實時時間對應的車輛行駛速度信息。記錄儀應能以不大于1 min的時間間隔持續(xù)記錄并存儲車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)，該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實時時間相對應的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。該記錄儀需要采用大容量的數(shù)據(jù)
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杰爾系統(tǒng)針對硬盤驅(qū)動器市場推出運行最快的前置放大器芯片樣品

　　杰爾系統(tǒng)宣布向客戶推出其最新高性能、低功耗前置放大器芯片（IC）樣品，該樣品專門針對企業(yè)應用及臺式機硬盤驅(qū)動器（HDD）而設計。　　杰爾最新款TrueStore PA7800前置放大器性能卓越，運行速度業(yè)界最快，可達2.5 Gbps ，同時在寫入模式下比上一代杰爾芯片可節(jié)省30％的電流。PA7800的數(shù)據(jù)率更強，數(shù)據(jù)容量更高，且兼容新一代TMR讀取頭，并降低了功耗，從而實現(xiàn)了更高的處理能力。　　杰爾存儲產(chǎn)品部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Ruediger Stroh說：
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Ramtron推出首款符合Grade 1汽車標準的Ramtron FRAM存儲器

　Ramtron推出首款 +125℃ FRAM存儲器 FM25C160，并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125℃ 的整個汽車溫度范圍內(nèi)，這個寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應用可超越乘客舒適性應用達到汽車核心系統(tǒng)應用級別。　　Ramtron副總裁Mike Alwais稱
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Ramtron推出首款符合Grade 1汽車標準的Ramtron FRAM存儲器

　　Ramtron推出首款 +125℃ FRAM存儲器 FM25C160，并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125℃ 的整個汽車溫度范圍內(nèi)，這個寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應用可超越乘客舒適性應用達到汽車核心系統(tǒng)應用級別。　　Ramtron副總裁Mike Alwais
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羅克韋爾自動化旗下品牌艾倫-布拉德利推出占用系統(tǒng)更少內(nèi)存的新型Complex Logic

　　羅克韋爾自動化近日推出新型SIL3安全控制器SmartGuard，支持SIL3 DeviceNet Safety應用。制造商可將靈活的可編程安全解決方案應用到設備上，可在降低安裝成本的同時提高員工的生產(chǎn)力。這款艾倫-布拉德利的SmartGuard 600安全控制器大小僅為4
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采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設計與驗證

摘要：本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應用的領(lǐng)域越來越廣泛，數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
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MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)

Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個反向?qū)实蔫F磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應的能力并不會因為它的混合式結(jié)構(gòu)而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
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WindowsCE跨進程內(nèi)存注入原理

近日，由于程序設計需要，我對WincowsCE 的內(nèi)存布局進行了研究，由于發(fā)現(xiàn)國內(nèi)在這方面的文檔資料較少，于是在研究告一段落之際，形成這篇示例文檔，以望拋磚引玉，得到別的高手的指正。　　一、程序?qū)崿F(xiàn)的先決條件　　由于windows系統(tǒng)的窗體消息總是投遞至一個特定進程的指定窗體消息函數(shù)中。于是在本地進程（自己的應用程序）中取得屬于其它進程的窗體的消息必須實現(xiàn)以下兩個部分：　　1、將需要掛接窗體的代碼放到目標進程的地址空間中去。　　2、執(zhí)行這一段代碼，并獲得目標進程窗體的消息。　　這兩步看
關(guān)鍵字：嵌入式操作系統(tǒng) 嵌專題WinCE 存儲器

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]