富士通宣布批量提供2Mbit的鐵電存儲器IC

　　富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數據寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導航系統、多功能打印機、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數、記錄設備操作條件并安全保存信息的高端設備的理想選擇。

　　FRAM的高速數據寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設備中存儲計數或參數、記錄各種事項之用。FRAM有100億個讀/寫周期，這相當于以每秒寫入30次的速率連續寫入10年。FRAM還可以在不使用電池的情況下存儲數據達10年以上。在如應用于儀表等設備的過程中，富士通FRAM寫機制確保即使在臨時中斷電源時，也可將數據高速寫入FRAM，因此不致丟失有用數據。

　　MB85R2001的配置是256 K字 x 8位；MB85R2002的配置是128K字 x 16位。這兩種類型的讀訪問周期均為100納秒（ns），讀/寫周期為150ns。 操作電壓為3-3.6V。

　　富士通微電子（上海）有限公司系統LSI產品市場部副總監鄭國威先生表示：“FRAM技術非常適用于要求大量寫周期、低功耗和高速數據寫入的設備。這些新FRAM改進了功能，能提供更大的存儲容量，以滿足新型汽車、儀表及其它高級設計的要求。新型FRAM還具備富士通1MbitFRAM的電氣特性，只需附加連接一個地址即可輕易移植到更高容量的版本。”

　　富士通是FRAM開發的先驅，從1999年開始批量生產，已經在世界各地銷售5億多的芯片，其中包括離散存儲芯片和帶嵌入式FRAM存儲器的芯片。由于對FRAM存儲器的需求量不斷增長，富士通決定將存儲容量翻倍，開發并生產了MV85R2001和MB85R2002。與電池供電的靜態隨機存取存儲器（SRAM）相比，FRAM無需使用電池，簡化了生產工藝，免除了使用富士通FRAM時電池更換和產品維護的難題。與富士通的所有其它FRAM產品類似，MB85R2001和MB85R2002減少了材料的浪費，有利于環境保護。

　　新型2Mbit FRAM產品具有與當前生產的富士通1Mbit FRAM產品（MB85R1001和MB85R1002）相同的電氣特性和TSOP-48數據包。只需附加連接一個地址，即可移植到2Mbit產品上。因此，在同一個印刷電路板上，根據所需的存儲容量，我們可以選擇使用1Mbit或2Mbit的FRAM。

　　新型FRAM現提供48針TSOP，價格可具體咨詢。