Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態(tài)存儲器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態(tài)存儲器。 

　　靜態(tài)存儲器（SRAM）主要用作高速的存儲設(shè)備，例如處理器內(nèi)部的高速緩存等存儲設(shè)備。

　　05年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時(shí)候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現(xiàn)在能夠生產(chǎn)出70Mbit的SRAM將有助于將來處理器的制造。