Freescale擴展MRAM的產品系列

　　嵌入式半導體設計和制造領域的Freescale半導體成功推出3伏4Mbit擴展溫度范圍（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM） 產品，從而擴展了公司獲獎的磁電阻式隨機存儲器 （MRAM）系列產品。該設備可用于惡劣的應用環境，如工業、軍事、航空和汽車設計等。

　　Freescale還通過推出一種1Mbit器件擴展了它的商用MRAM 產品系列。該器件可為系統設計師提供一種密度選擇，并專注于主流嵌入式產品市場上的“sweet spot”。此外，Freescale還計劃進一步擴展其MRAM產品系列，在2007年第三季度增加總共九種商用和工業用擴展溫度產品。

　　MRAM采用磁性材料和傳統的硅電路來在單個壽命幾乎沒有限制的器件中提供SRAM的高速度和閃存的非易失性 。MRAM設備可以用于高速緩存緩沖器、配置存儲內存和其他要求高速度、耐用性和非易失性的商業應用。飛思卡爾的最新擴展溫度范圍選項使MRAM可用于工業和汽車應用。在這類應用中，半導體產品必須能夠忍受惡劣的工作環境和極端溫度范圍。

　　MRAM在高密度 nvRAM市場上提供業界領先的高性價比產品。飛

　　2006年宣布推出的飛思卡爾MR2A16A 4Mbit 產品是全球第一款商用MRAM設備，曾獲得Electronic Products雜志頒發的2006年度最佳產品獎、電子工程專輯的2007年度最佳存儲產品獎、LSI of the Year的年度杰出產品獎和In-Stat/Microprocessor Report 的2007年度創新產品獎。此外，飛思卡爾的MRAM設備還入圍EDN的“2006年度創新獎”和EE Times的“2006年度ACE獎”決賽。

　　關于1Mb MR0A16A

　　MR0A16A是一種1Mbit的商用溫度范圍（0 – 70oC）3.3伏異步存儲器，可存儲64K個單詞（16位），讀寫周期為35 納秒。該設備的行業標準SRAM針腳允許在相同的空間內將內存從1Mb擴展到4Mb。該設備采用符合RoHS 要求的400-mil TSOP II型封裝，適合各種商業應用，如聯網、安全、數據存儲、游戲和打印機。

　　關于4Mb MR2A16AV

　　MR2A16AV是一種4Mbit擴展溫度范圍（-40 – 105oC）3.3伏異步存儲器，可存儲256K個單詞（16位），讀寫周期為35 納秒。它的行業標準SRAM針腳使它可以兼容SRAM 和其他 nvRAM產品。該設備采用符合RoHS要求的400-mil TSOP II型封裝中，為工業自動化、運輸、軍事和航空應用中的嚴苛環境提供了一種強大的NVM解決方案。

　　若欲了解有關飛思卡爾MRAM產品和技術的更多信息，請訪問：twww.freescale.com/files/pr/mram.html。