存儲器文章最新資訊

存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

　　在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。　　為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 　　在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
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大陸存儲器的戰(zhàn)略布局

　　長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一，但不是全部。　　回歸基本面來看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進。半導(dǎo)體的先
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臺媒：大陸向臺廠借將只是序幕

　　中國大陸大力扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，遭遇美國川普新政府全力阻擋，未來恐加速自主研發(fā)。資深半導(dǎo)體業(yè)界人士分析，中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入群雄爭頭，對外挖角行動也會加快，借將臺廠資深半導(dǎo)體菁英，只是序幕，且未來挖角行動也會擴大到其他國家。　　中國大陸稍早在國家發(fā)展半導(dǎo)體集成綱要中，明定中芯和紫光為主導(dǎo)邏輯晶片和存儲器兩大指標廠，不過各地方競相爭首，希望獲得中央關(guān)注及國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)青睞注資。中芯目前是中國大陸晶片制造龍頭，但和全球尖端制造廠相比，技術(shù)仍落后一大截，雖然中芯去年市值超越聯(lián)電，但因兩地本益比
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為什么臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)會走向沒落！

隨著華亞科在2016年正式被美光收購，也標志著臺灣地區(qū)自主存儲器產(chǎn)業(yè)沒落，雖然還有相關(guān)產(chǎn)業(yè)存在，但已不是臺灣地區(qū)公司和資本主導(dǎo)。
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人才和經(jīng)驗全部“made in Taiwan” 紫光打造國家級半導(dǎo)體艦隊

　　據(jù)臺灣媒體報道，大陸打造上中下游一條鞭的半導(dǎo)體航空母艦的輪廓看似越來越清晰，但其實格局越拉越大，劇情超展開，且紫光集團在當中扮演的角色越來越重要，更是提供滿滿大平臺，吸引臺灣半導(dǎo)體現(xiàn)役、退役、半退役人士紛紛加入，貢獻畢生所學(xué)，且燃盡余生來協(xié)助大陸打造國家級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)艦隊，這支艦隊“made in Taiwan”! 　　紫光已成大陸發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之首，除了打造DRAM和NAND Flash存儲器產(chǎn)業(yè)外，紫光的布局明顯地已經(jīng)進入晶圓代工領(lǐng)域。日前紫光再度加碼大陸晶圓代工龍頭中芯國
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10年追“芯”路 “中國存儲器航母”終起航

雖然我國缺乏大規(guī)模存儲芯片生產(chǎn)廠家，但全球集成電路產(chǎn)業(yè)增長放緩，為我國實現(xiàn)趕超、縮小差距提供了難得機遇。
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兆易創(chuàng)新于國際存儲器技術(shù)會議發(fā)表論文

　　全球頂級研究人員匯聚三藩市，參加IEEE國際電子元件會議(IEDM)。斯坦福大學(xué)團隊在會議上發(fā)表的一篇論文，正是這種洞察細節(jié)精神的體現(xiàn)。　　由IBM電子工程師出身的黃漢森教授(H.S.PhilipWong)指導(dǎo)該團隊，在深入研究一種新型資料儲存技術(shù)。對于智慧手機和其他移動設(shè)備而言，高效節(jié)能是至關(guān)重要的，因此此種資料存儲技術(shù)將是這些設(shè)備的理想選擇。　　這種新技術(shù)產(chǎn)品稱為電阻式存儲器，縮寫為RRAM。電阻式存儲器基于一種新型半導(dǎo)體材料，此種半導(dǎo)體材料能夠以阻止或允許通過電子流的方式，形成狀態(tài)值&l
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趙偉國：要打贏存儲芯片制造的“世界戰(zhàn)爭”

　　引起全球集成電路產(chǎn)業(yè)重大關(guān)注的國家存儲器基地項目，2016年12月30日正式開工。立志打造中國集成電路產(chǎn)業(yè)航母的紫光集團入股長江存儲，執(zhí)掌項目建設(shè)，亦引人注目。　　2016年12月30日，紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國接受長江日報記者采訪時表示，參與建設(shè)國家存儲器基地，對于紫光集團來說，責任和壓力很大，這是事關(guān)國家戰(zhàn)略、“使命必達”的戰(zhàn)役，也是真刀真槍的全球市場競爭。　　談項目：這是“中國存儲器航母”起航　　“國家存儲器基地
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國家存儲器基地動土　要建3座全球最大3D NAND廠

　　傾大陸國家之力的中國長江存儲存儲器基地正式于2016年12月30日開工，而此項目前身為武漢新芯存儲器基地，在歷經(jīng)中國紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠，強調(diào)要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。　　紫光集團于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區(qū)舉移動土典禮，宣布中國國家存儲器基地正式開工，該建設(shè)項目聯(lián)合紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資，項目總投資金額達240億美元。　　紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國趙偉國典禮中強調(diào)，
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正式開工長江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航

　　今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工，預(yù)計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品。　　據(jù)悉，此次動工建設(shè)的存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施，總占地面積1968畝，預(yù)計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬
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Cypress于聯(lián)電制造的eCT嵌入式快閃存儲器MCU開始量產(chǎn)出貨

　　聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案廠商Cypress今(14日)共同宣布，在聯(lián)電制造的專有40奈米嵌入式電荷擷取(eCT)快閃存儲器的微電腦控制器(MCU)已量產(chǎn)出貨。此次量產(chǎn)展現(xiàn)Cypress快閃存儲器技術(shù)結(jié)合聯(lián)電40奈米低功耗(40LP)邏輯制程的多年合作結(jié)果。 40奈米eCT 快閃存儲器的尺寸僅為0.053μm2，比最接近之競爭對手的尺寸約小25%。 eCT快閃存儲器可滿足最嚴苛的高性能應(yīng)用設(shè)計的兩個關(guān)鍵特性，即8 nsec的隨機存取速率和
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資深工程師：選擇汽車MCU的十大考慮因素

　　微控制器(MCU)在從電機控制，到信息娛樂系統(tǒng)和車身控制等越來越寬泛的汽車應(yīng)用中提供至關(guān)重要的性能。隨著價格的下降和整固的增加，微控制器正變得越來越普及，這意味著MCU被越來越多地視為商品。盡管存在這種商品化趨勢，汽車系統(tǒng)設(shè)計工程師仍然認為不同的控制器會有很大的差異，包括各種級別的集成度和功率要求。選擇MCU通常可以縮減材料成本(BOM)，從而有效地降低電子控制單元(ECU)本身的價格。　　選擇汽車MCU時，設(shè)計工程師可以考慮以下10個重要因素，實現(xiàn)成本壓力與應(yīng)用所需的特定性能特色之間的平衡。　　1.
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存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀錄

　　根據(jù)ICInsights報道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

　　SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導(dǎo)指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設(shè)計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。　　若按計劃進行，SK海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠。為因應(yīng)市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。　　隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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10M存儲器+豐富通信接口的MCU，打造更低成本的微型打印機

　　隨著電子技術(shù)和信息化社會的發(fā)展，作為嵌入式系統(tǒng)和計算機的輸出設(shè)備之一的微型打印機被廣泛應(yīng)用于生活當中?！　』谑缽姶淼娜鹚_ RZ/A1的微型打印模塊系統(tǒng)主要包括MCU、字庫芯片、熱敏機芯(加熱控制、溫度檢測、滾筒檢測、缺紙檢測、步進電機驅(qū)動)、串行接口電路等。　　圖：基于世強代理的瑞薩RZ/A1的微型打模塊系統(tǒng)框圖　　瑞薩RZ/A1系列微處理器是以ARM Cortex-A9 CPU為內(nèi)核，該CPU的時鐘頻率為400 MHz，DMIPS3為1000，擁有全球容量
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]