存儲(chǔ)器文章最新資訊

存儲(chǔ)器需求動(dòng)能強(qiáng)勁，第四季DRAM合約價(jià)有望再漲逾一成

　　受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動(dòng)，存儲(chǔ)器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價(jià)格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，存儲(chǔ)器在筆電需求回溫、智能手機(jī)延續(xù)強(qiáng)勁成長態(tài)勢與服務(wù)器需求增溫帶動(dòng)下，DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格預(yù)計(jì)將同步上揚(yáng)，特別是DRAM合約價(jià)第四季估將再漲逾一成。　　供應(yīng)持續(xù)吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài) 　　由于今年中國品牌智能手機(jī)表現(xiàn)超乎預(yù)期，服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺(tái)系服務(wù)器代工廠
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英特爾因應(yīng)深度學(xué)習(xí)需求　對(duì)Xeon Phi進(jìn)行調(diào)整

　　軟、硬件共同設(shè)計(jì)趨勢正在席卷整個(gè)IT部門，不論是資料分析或是機(jī)器學(xué)習(xí)，每種工作項(xiàng)目的分工都將更為精細(xì)，硬件廠商也開始針對(duì)軟體設(shè)計(jì)新的產(chǎn)品。為了維系資料中心的市場霸主地位，英特爾(Intel)瞄準(zhǔn)機(jī)器學(xué)習(xí)的特殊需求，將推出代號(hào)為 Knights Mill的多核心處理器。　　據(jù)The Next Platform報(bào)導(dǎo)，英特爾現(xiàn)有的Knights Landing Xeon Phi芯片可提供雙精度(Double Precision)3.46 teraflop及單精度(Single Precision)6.
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IDC:Q2全球手機(jī)制造廠排行,零部件缺貨導(dǎo)致再洗牌

　　IDC昨天公布，2016年第2季由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲(chǔ)器等關(guān)鍵零組件短缺，全球智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)制造量較首季僅成長4.8%。且因關(guān)鍵零組件短缺，造成排名的洗牌效應(yīng)。　　IDC全球硬件組裝研究團(tuán)隊(duì)研究經(jīng)理高鴻翔指出，在蘋果、索尼、微軟等國際大廠出貨量滑落影響下，2016年第2季全球智能手機(jī)組裝產(chǎn)業(yè)競爭，呈現(xiàn)大陸廠商比重持續(xù)提升(44.1%上升至46.4%)、臺(tái)灣廠商比重滑落(23.4%跌至19.7%)的態(tài)勢。　　由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲(chǔ)器等關(guān)鍵零組件短缺，形成歐、美、日與大陸一線廠商以原
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東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨

　　東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲(chǔ)器，采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)[1]。該款64層工藝的存儲(chǔ)器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲(chǔ)器采用3-bit-per-cell(1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進(jìn)步印證了東芝專有架構(gòu)的潛力。東芝將不斷精進(jìn)BiCS FLASHTM制造工藝，其發(fā)展藍(lán)圖中的下一個(gè)里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲(chǔ)器。　　這款新型存儲(chǔ)器沿襲48層BiC
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美大學(xué)突破相變化存儲(chǔ)器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

　　在全球持續(xù)突破存儲(chǔ)器運(yùn)行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對(duì)于“相變化存儲(chǔ)器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時(shí)間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運(yùn)行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。　　據(jù)Techspot網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，所謂的相變化存儲(chǔ)器運(yùn)作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲(chǔ)存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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清華控股徐井宏：走向制造強(qiáng)國須靠扎實(shí)創(chuàng)新

　　略有變化，卻并不意外。隨著2016中國企業(yè)500強(qiáng)榜單的發(fā)布，人們看到，國家電網(wǎng)以20713.49億元的營業(yè)收入首次排名中國企業(yè)500強(qiáng)榜首，中國石油(7.420, 0.02, 0.27%)、中國石化(4.950, 0.00, 0.00%)、工商銀行(4.490, -0.01, -0.22%)等緊隨其后。　　“剛才我們也在討論，中國500強(qiáng)越來越大，每年中國進(jìn)入世界500強(qiáng)的企業(yè)在增加，但是大部分是央企，是資源壟斷型、市場壟斷型企業(yè)，我們真正擁有自己關(guān)鍵技術(shù)的企業(yè)寥寥無幾，像華為這
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紫光國芯發(fā)布上半年財(cái)報(bào)：存儲(chǔ)器芯片業(yè)務(wù)增幅超過30%

　　8月18日，紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)對(duì)外公布了2016年上半年(1月-6月)財(cái)務(wù)報(bào)告。　　財(cái)報(bào)顯示，紫光國芯2016年上半年?duì)I收和利潤實(shí)現(xiàn)雙增長，營業(yè)總收入達(dá)到6.46億元，比上年同期增長15.76%，實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.50億元，比上年同期增長12.76%。　　盡管全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境并不是太好，但得益于國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，紫光國芯經(jīng)營業(yè)績保持了快速增長的態(tài)勢。　　　　圖片來源：紫光國芯財(cái)報(bào) 　　存儲(chǔ)器芯片業(yè)
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3D NAND風(fēng)暴來襲，中國存儲(chǔ)器廠商如何接招?

中國正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
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丁文武點(diǎn)評(píng)存儲(chǔ)器市場：人才是競爭的關(guān)鍵

　　在日前舉行的“國際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武表示，目前，存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我國進(jìn)口的最大宗商品，2015年進(jìn)口額超2100億美金。　　與此同時(shí)，由于存儲(chǔ)器涉及到信息存儲(chǔ)，信息安全等方面，其已經(jīng)成為信息安全和產(chǎn)業(yè)安全基石。　　存儲(chǔ)器在集成電路中的地位以及我國對(duì)于存儲(chǔ)器的旺盛需求，讓全國各個(gè)地方基金對(duì)于發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)具有非常高的積極性。目前，武漢、深圳、福建、合肥、北京等針對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)行相應(yīng)的投資與布局。　　以武漢為例，武漢已經(jīng)明
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解讀實(shí)現(xiàn)中國存儲(chǔ)器夢的三條路徑

中中國下決心做存儲(chǔ)器芯片，是個(gè)特別重大，而又十分艱難的決定，國存儲(chǔ)器業(yè)要取得成功，總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過一段時(shí)間的實(shí)踐，有一定進(jìn)展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉(zhuǎn)被動(dòng)的局面。
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STM32學(xué)習(xí)筆記-Flash作為存儲(chǔ)器儲(chǔ)存數(shù)據(jù)

　　說到STM32的FLSAH，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。　　自己收集了一些資料，現(xiàn)將這些資料總結(jié)了一下，不想看的可以直接調(diào)到后面看怎么操作就可以了。　　FLASH分類　　根據(jù)用途，STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分：主存儲(chǔ)塊、信息塊。主存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)程序，我們寫的程序一般存儲(chǔ)在這里。信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲(chǔ)器、選項(xiàng)字節(jié)。系統(tǒng)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)用于存放在系統(tǒng)存
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長江存儲(chǔ)推動(dòng)國家存儲(chǔ)器戰(zhàn)略落地，魏少軍：三年后最難

　　針對(duì)近期關(guān)于“紫光收購武漢新芯”的市場傳聞，《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》記者采訪武漢新芯獲悉，3月28日國家存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)的四個(gè)月后，今年7月26日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(下稱“長江存儲(chǔ)”)正式成立，武漢新芯將成為長江存儲(chǔ)的全資子公司，而紫光集團(tuán)則是參與長江存儲(chǔ)的二期出資。　　專家觀點(diǎn) 　　為做大做強(qiáng)中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開了好頭　　“長江存儲(chǔ)的股權(quán)安排從根本上避免了有限資源的分散和潛在的惡性競爭，對(duì)于不同存儲(chǔ)器產(chǎn)品的規(guī)劃和發(fā)展也更易于實(shí)現(xiàn)優(yōu)
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世

　　SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
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老杳:收編新芯,紫光扛起中國存儲(chǔ)器大旗

　　長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立，清華紫光成為武漢新芯的新東家，正式扛起中國發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的大旗。　　自從國家計(jì)劃大力發(fā)展存儲(chǔ)器，大陸已經(jīng)有三地啟動(dòng)了存儲(chǔ)器發(fā)展計(jì)劃，北京紫光最早，不過動(dòng)作最慢，武漢新芯已經(jīng)啟動(dòng)FLASH工廠建設(shè)，而福建晉華則聯(lián)合聯(lián)電啟動(dòng)了DRAM工廠建設(shè)，傳聞中合肥也將建設(shè)存儲(chǔ)器基地。除紫光外，無論武漢、泉州還是合肥，都是當(dāng)?shù)卣度刖揞~資金扶植發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。　　存儲(chǔ)器是個(gè)充分市場競爭的行業(yè)，目前全球范圍內(nèi)五強(qiáng)爭霸，韓國的三星、海力士，美國的Intel、美光，此外還包括日本的
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世

　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)??。　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示，該
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]