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        SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器,傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

        作者: 時(shí)間:2016-12-27 來源: 集微網(wǎng) 收藏

          最先進(jìn)72層3D NAND傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,計(jì)劃于2017上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201612/342111.htm

          若按計(jì)劃進(jìn)行,將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72層3D NAND的廠。為因應(yīng)市場(chǎng)需求增溫,SK海力士上周已宣布將在韓國(guó)與中國(guó)兩地,投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND產(chǎn)能。

          隨著微縮制程遭遇瓶頸,業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲(chǔ)器做突破,但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于2013年量產(chǎn)48層3D NAND存儲(chǔ)器,至于64層3D NAND芯片也將在今年底開始投產(chǎn)。

          據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì),三星第三季NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收來到37.44億美元,市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。東芝以19.6%位居第二,Western Digital、SK海力士與美光分居三、四、五名,市占率依序?yàn)?7.1%、10.4%與9.8%。



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