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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲(chǔ)器

        搞嵌入式,不懂DMA?笑死人

        • DMA,全稱Direct Memory Access,即直接存儲(chǔ)器訪問。DMA傳輸將數(shù)據(jù)從一個(gè)地址空間復(fù)制到另一個(gè)地址空間,提供在外設(shè)和存儲(chǔ)器之間或者存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。我們知道CPU有轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)、計(jì)算、控制程序轉(zhuǎn)移等很多功能,系統(tǒng)運(yùn)作的核心就是CPU.CPU無時(shí)不刻的在處理著大量的事務(wù),但有些事情卻沒有那么重要,比方說數(shù)據(jù)的復(fù)制和存儲(chǔ)數(shù)據(jù),如果我們把這部分的CPU資源拿出來,讓CPU去處理其他的復(fù)雜計(jì)算事務(wù),是不是能夠更好的利用CPU的資源呢?因此:轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)(尤其是轉(zhuǎn)移大量數(shù)據(jù))是可以不需要
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        AI激發(fā)存儲(chǔ)市場潛能,SSD主控芯片國產(chǎn)化浪潮提速

        • 近日,國產(chǎn)主控芯片廠商英韌科技宣布量產(chǎn)其第九款主控芯片——YRS820。這也是繼去年9月宣布量產(chǎn)PCIe 5.0 SSD企業(yè)級(jí)主控YRS900后,英韌科技官宣量產(chǎn)的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”據(jù)英韌科技聯(lián)合創(chuàng)始人、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)副總裁陳杰介紹,YRS820主控芯片具備四“高”二“低”的技術(shù)亮點(diǎn),即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延時(shí)。陳杰表示,YRS820主控芯片采用RISC-V(開源指令架構(gòu)),配備4通道PCIe 5.0接口,8個(gè)NAND閃存通道,支持NVM
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        中國科學(xué)家研究鐵電隧道結(jié)存儲(chǔ)器獲新進(jìn)展

        • 近日,中國科學(xué)家鐵電隧道結(jié)存儲(chǔ)器研發(fā)取得了新的進(jìn)展。據(jù)中國科學(xué)院金屬研究所官網(wǎng)介紹,在最新完成的研究中,其研究團(tuán)隊(duì)提出利用緩沖層定量調(diào)控薄膜應(yīng)變,延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強(qiáng)鐵電極化強(qiáng)度的策略,成功揭示極化強(qiáng)度同鐵電隧道結(jié)存儲(chǔ)器隧穿電阻之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián),并實(shí)現(xiàn)巨大隧穿電致電阻(或器件開關(guān)比)。鐵電隧道結(jié)具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結(jié)構(gòu)。利用鐵電極化翻轉(zhuǎn)調(diào)控量子隧穿效應(yīng)獲得不同的電阻態(tài),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能,具有高速讀寫、低功耗和高存儲(chǔ)容量等優(yōu)點(diǎn),屬于下一代信息存儲(chǔ)技術(shù),近年來在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域備受關(guān)注
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        北京大學(xué)公開存儲(chǔ)器專利

        • 存儲(chǔ)器是電子信息處理系統(tǒng)中不可或缺的組成部分。在過去,依靠CMOS工藝的不斷進(jìn)步,存儲(chǔ)器的性能得以不斷提高。但近年來,一方面,尺寸微縮導(dǎo)致的晶體管漏電問題越來越嚴(yán)重,在增大存儲(chǔ)器功耗的同時(shí),惡化了存儲(chǔ)單元的保持特性,存儲(chǔ)器的發(fā)展遇到較為明顯的瓶頸;另一方面,人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展又對(duì)存儲(chǔ)器的容量速度以及功耗等性能指標(biāo)提出了更高的要求。在這樣的背景下,由于嵌入式鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory,eFeRAM)具有非易失、高密
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        存儲(chǔ)器廠憂DRAM漲勢受阻

        • 韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士透露,因市況好轉(zhuǎn),考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM,市場擔(dān)心稼動(dòng)率回升,破壞以往存儲(chǔ)器大廠減產(chǎn)提價(jià)共識(shí),恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲(chǔ)器族群股價(jià),包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等,股價(jià)跌幅逾2%,表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認(rèn)為,包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能,多往1-alpha/beta先進(jìn)制程升級(jí),以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)需求,預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費(fèi)性電子
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        美光存儲(chǔ)器助力AI造福精神健康

        • 1?沉重的社會(huì)話題幾年前,王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥,朋友的老公后來無法外出工作,在家全職照顧她。這使王女士開始關(guān)注這類病癥,了解到如果盡早地發(fā)現(xiàn)和干預(yù),可使病癥發(fā)展減緩。同時(shí),患者需要大量的康復(fù)訓(xùn)練,但患者因?yàn)槟X部疾病會(huì)難以融入社區(qū)、社會(huì),同時(shí)因?yàn)榘嘿F的康復(fù)費(fèi)用等因素,為康復(fù)帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023(中國計(jì)算機(jī)大會(huì))上,王女士了解到精神健康已是一個(gè)重要的社會(huì)話題,相關(guān)的醫(yī)學(xué)電子正向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型、精準(zhǔn)診療方向發(fā)展,而生成式AI /大模型是推進(jìn)其進(jìn)化的加速器。生成式A
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        意法半導(dǎo)體STM32F103RET7單片機(jī)的工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)、應(yīng)用、引腳

        • ST(意法半導(dǎo)體)的型號(hào)STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器,采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心,在72MHz頻率下工作,高速嵌入式存儲(chǔ)器(閃存高達(dá)512千字節(jié),SRAM高達(dá)64千字節(jié)),以及廣泛的增強(qiáng)I/ o和連接到兩個(gè)APB總線的外設(shè)。STM32F103RET7提供3個(gè)12位adc,4個(gè)通用16位定時(shí)器加上兩個(gè)PWM定時(shí)器,以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口:最多兩個(gè)i2c,三個(gè)spi,兩個(gè)I2Ss,一個(gè)SDIO, 5個(gè)usart,一個(gè)USB和一個(gè)CAN。STM32F10
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        干貨|必看的單片機(jī)知識(shí)

        • 前言1946年2月15日,第一臺(tái)電子數(shù)字計(jì)算機(jī)?ENIAC問世,這標(biāo)志著計(jì)算機(jī)時(shí)代的到來。ENIAC?是電子管計(jì)算機(jī),時(shí)鐘頻率雖然僅有 100 kHz,但能在1s?的時(shí)間內(nèi)完成 5000 次加法運(yùn)算。與現(xiàn)代的計(jì)算機(jī)相比,ENIAC有許多不足,但它的問世開創(chuàng)了計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)的新紀(jì)元,對(duì)人類的生產(chǎn)和生活方式產(chǎn)生了巨大的影響。在研制?ENIAC?的過程中,匈牙利籍?dāng)?shù)學(xué)家馮·諾依曼擔(dān)任研制小組的顧問,并在方案的設(shè)計(jì)上做出了重要的貢獻(xiàn)。1946年6月,馮·諾依曼又提
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        OptiFlash存儲(chǔ)器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對(duì)軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

        • 在寫字樓、工廠車間和汽車中,軟件正逐步取代機(jī)械部件和固定電路。例如,使用智能鎖取代機(jī)械鎖后,用戶可以通過手機(jī)應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進(jìn)行控制,同時(shí)制造商可通過軟件更新、改進(jìn)或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下,人們對(duì)存儲(chǔ)器的要求不斷提高,這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲(chǔ)器的微控制器 (MCU) 中,存儲(chǔ)器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外,MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢(包括更高的計(jì)算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧)也決定了需要更大容量的閃存。當(dāng)出現(xiàn)無線更新的需求時(shí),由于原始圖像和備份圖像都需要存儲(chǔ),上述的這
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        存儲(chǔ)器大廠積極布局,DDR5與HBM受青睞

        • 今年以來,ChatGPT持續(xù)推動(dòng)生成式AI需求上漲,加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新,HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞,存儲(chǔ)器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5:美光發(fā)布新品、三星計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM,今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存,速率高達(dá) 7200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外,該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù),相比上一代產(chǎn)品,性能提升高
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        新興內(nèi)存技術(shù):半導(dǎo)體廠商的革命

        • 半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展是由一個(gè)基本原則驅(qū)動(dòng)的:存儲(chǔ)器。內(nèi)存技術(shù)是數(shù)字時(shí)代背后的無名英雄,支撐著從智能手機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到超級(jí)計(jì)算機(jī)的效率的一切。隨著對(duì)更快、更可靠、更節(jié)能的存儲(chǔ)器的需求激增,新一波新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)有望重塑半導(dǎo)體工廠并增強(qiáng)我們的數(shù)字體驗(yàn)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的現(xiàn)狀要了解新興存儲(chǔ)技術(shù)的重要性,了解其前輩至關(guān)重要。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲(chǔ)器,如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM),可提供快速數(shù)據(jù)訪問,但需要持續(xù)供電才能保留信息。非易失性存儲(chǔ)器,例如 NAND 閃存,可以在沒
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        存儲(chǔ)器報(bào)價(jià) 明年H1抬頭

        • 三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)近期接續(xù)舉行法說,釋出對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)看法,兩大廠商均表示,PC、手機(jī)終端庫存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務(wù)器需求依然疲弱,而AI服務(wù)器需求則較為強(qiáng)勁。業(yè)界人士認(rèn)為,存儲(chǔ)器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷,在獲利數(shù)字翻正前,應(yīng)會(huì)持續(xù)減產(chǎn)策略,預(yù)期2024年上半年內(nèi)存報(bào)價(jià)向上趨勢不變。臺(tái)系存儲(chǔ)器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見、十銓、宇瞻等有望受惠。時(shí)序進(jìn)入第四季,三星認(rèn)為,市場復(fù)蘇將加速,在旺季帶動(dòng)之下,市場DRAM、NAND Flash位出貨量,可望分別
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        樹立新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品標(biāo)桿,兆易創(chuàng)新開拓高能效應(yīng)用賽道

        • 近日,第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會(huì)在深圳隆重開啟。兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部產(chǎn)品市場經(jīng)理張靜受邀出席,以“持續(xù)開拓,兆易新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題,分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域的廣泛布局,以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考,共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)周期”下的存儲(chǔ)器市場發(fā)展趨勢。GD Flash的開拓之路:十四載達(dá)成212億顆出貨成就眾所周知,F(xiàn)lash是一種非易失性的存儲(chǔ)器,在斷電和掉電的情況下,存儲(chǔ)的內(nèi)容不會(huì)發(fā)生丟失,是絕大多數(shù)電子系統(tǒng)必備的元器件。作為一家以存
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        存儲(chǔ)器大廠:HBM4,2025年供貨!

        • 人工智能浪潮之下,HBM從幕后走向臺(tái)前,市場需求持續(xù)看漲。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測,2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比,HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢,可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度,更適用于ChatGPT等高性能計(jì)算場景,因而備受青睞,存儲(chǔ)大廠也在積極推動(dòng)HBM技術(shù)迭代。存儲(chǔ)大廠持續(xù)發(fā)力,三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世至今,HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品,分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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        存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)亟待“翻身仗”,四大廠商最新營收幾何?

        • 2023年已過去一大半,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)雖仍處于待復(fù)蘇階段,但歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產(chǎn)后,業(yè)界期盼的暖風(fēng)或許正在到來。從多家廠商最新營收來看,整體營收仍是下降趨勢,但各廠商營收出現(xiàn)了環(huán)比增長的跡象,預(yù)示著需求正在慢慢升溫。群聯(lián)電子:9月營收月增25%存儲(chǔ)器控制芯片商群聯(lián)電子公布,其9月營收為50.04億元新臺(tái)幣,月增25.38%,年增4.05%,重返50億元新臺(tái)幣大關(guān),創(chuàng)14個(gè)月新高。根據(jù)數(shù)據(jù),群聯(lián)電子第三季營收為123.88 億元新臺(tái)幣,較第二季成長近24%,年減15%;2023年前三季累計(jì)營收324.74 億元新臺(tái)幣
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        共1631條 2/109 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

        存儲(chǔ)器介紹

        什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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