AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產了236層第八代V-NAND閃存，即將量產的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另據業界預測，三星未來第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發力1000層閃存。三星計劃2030年
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存儲器 DRAM TrendForce
AI浪潮正持續改變各行各業，此前歷經下行周期的PC市場也開始迎來新的機會。今年以來，無論是美國消費電子展（CES）還是巴塞羅那世界移動通信大會（MWC），AI
PC都成為了當之無愧的焦點，包括英特爾、AMD、英偉達等芯片大廠，以及聯想、戴爾、宏碁、華碩、榮耀等下游廠商紛紛推出相關產品，布局AI
PC。業界直言，2024年或是AI PC元年，這一風口下，半導體領域NPU以及存儲器等有望持續受益。一 AI PC一觸即發，半導體大廠瞄準NPUChatGPT的橫空出世，讓人見識到了AI大模型的威力，隨后，
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AI PC 存儲器 NPU
DMA，全稱Direct Memory Access，即直接存儲器訪問。DMA傳輸將數據從一個地址空間復制到另一個地址空間，提供在外設和存儲器之間或者存儲器和存儲器之間的高速數據傳輸。我們知道CPU有轉移數據、計算、控制程序轉移等很多功能，系統運作的核心就是CPU.CPU無時不刻的在處理著大量的事務，但有些事情卻沒有那么重要，比方說數據的復制和存儲數據，如果我們把這部分的CPU資源拿出來，讓CPU去處理其他的復雜計算事務，是不是能夠更好的利用CPU的資源呢？因此：轉移數據（尤其是轉移大量數據）是可以不需要
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DMA CPU 存儲器
近日，國產主控芯片廠商英韌科技宣布量產其第九款主控芯片——YRS820。這也是繼去年9月宣布量產PCIe 5.0 SSD企業級主控YRS900后，英韌科技官宣量產的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”據英韌科技聯合創始人、數據存儲技術副總裁陳杰介紹，YRS820主控芯片具備四“高”二“低”的技術亮點，即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延時。陳杰表示，YRS820主控芯片采用RISC-V（開源指令架構），配備4通道PCIe 5.0接口，8個NAND閃存通道，支持NVM
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存儲器 AI
近日，中國科學家鐵電隧道結存儲器研發取得了新的進展。據中國科學院金屬研究所官網介紹，在最新完成的研究中，其研究團隊提出利用緩沖層定量調控薄膜應變，延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強鐵電極化強度的策略，成功揭示極化強度同鐵電隧道結存儲器隧穿電阻之間的內在關聯，并實現巨大隧穿電致電阻(或器件開關比)。鐵電隧道結具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結構。利用鐵電極化翻轉調控量子隧穿效應獲得不同的電阻態，從而實現數據存儲功能，具有高速讀寫、低功耗和高存儲容量等優點，屬于下一代信息存儲技術，近年來在信息存儲領域備受關注
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存儲器 存儲技術
存儲器是電子信息處理系統中不可或缺的組成部分。在過去，依靠CMOS工藝的不斷進步，存儲器的性能得以不斷提高。但近年來，一方面，尺寸微縮導致的晶體管漏電問題越來越嚴重，在增大存儲器功耗的同時，惡化了存儲單元的保持特性，存儲器的發展遇到較為明顯的瓶頸；另一方面，人工智能和物聯網等領域的快速發展又對存儲器的容量速度以及功耗等性能指標提出了更高的要求。在這樣的背景下，由于嵌入式鐵電隨機存取存儲器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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存儲器 存儲技術
韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產部分特殊DRAM，市場擔心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產提價共識，恐不利后續DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現較大盤弱勢。惟業界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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存儲器 DRAM TrendForce
1?沉重的社會話題幾年前，王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥，朋友的老公后來無法外出工作，在家全職照顧她。這使王女士開始關注這類病癥，了解到如果盡早地發現和干預，可使病癥發展減緩。同時，患者需要大量的康復訓練，但患者因為腦部疾病會難以融入社區、社會，同時因為昂貴的康復費用等因素，為康復帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023（中國計算機大會）上，王女士了解到精神健康已是一個重要的社會話題，相關的醫學電子正向數據驅動型、精準診療方向發展，而生成式AI /大模型是推進其進化的加速器。生成式A
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美光 存儲器 AI 精神健康
ST(意法半導體)的型號STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器，采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，在72MHz頻率下工作，高速嵌入式存儲器(閃存高達512千字節，SRAM高達64千字節)，以及廣泛的增強I/ o和連接到兩個APB總線的外設。STM32F103RET7提供3個12位adc，4個通用16位定時器加上兩個PWM定時器，以及標準和高級通信接口：最多兩個i2c，三個spi，兩個I2Ss，一個SDIO, 5個usart，一個USB和一個CAN。STM32F10
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ST 自動化 存儲器
前言1946年2月15日，第一臺電子數字計算機?ENIAC問世，這標志著計算機時代的到來。ENIAC?是電子管計算機，時鐘頻率雖然僅有 100 kHz，但能在1s?的時間內完成 5000 次加法運算。與現代的計算機相比，ENIAC有許多不足，但它的問世開創了計算機科學技術的新紀元，對人類的生產和生活方式產生了巨大的影響。在研制?ENIAC?的過程中，匈牙利籍數學家馮·諾依曼擔任研制小組的顧問，并在方案的設計上做出了重要的貢獻。1946年6月，馮·諾依曼又提
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單片機 計算機 存儲器 微處理器 仿真器
在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶可以通過手機應用程序對智能鎖進行控制，同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人們對存儲器的要求不斷提高，這一挑戰不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中，存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外，MCU 中的一些特定發展趨勢（包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當出現無線更新的需求時，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲，上述的這
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OptiFlash 存儲器 閃存 軟件定義系統
今年以來，ChatGPT持續推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產品。DDR5：美光發布新品、三星計劃擴大產線當前DDR5制程已經來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術的DDR5內存，速率高達 7200
MT/s，現已面向數據中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內存采用先進的High-K
CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術，相比上一代產品，性能提升高
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存儲器 DDR5 HBM
半導體行業的不斷發展是由一個基本原則驅動的：存儲器。內存技術是數字時代背后的無名英雄，支撐著從智能手機的數據存儲到超級計算機的效率的一切。隨著對更快、更可靠、更節能的存儲器的需求激增，新一波新興的非易失性存儲器技術有望重塑半導體工廠并增強我們的數字體驗。半導體存儲器的現狀要了解新興存儲技術的重要性，了解其前輩至關重要。傳統的半導體存儲器分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器，如動態隨機存取存儲器 (DRAM)，可提供快速數據訪問，但需要持續供電才能保留信息。非易失性存儲器，例如 NAND 閃存，可以在沒
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存儲器
三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續舉行法說，釋出對存儲器產業看法，兩大廠商均表示，PC、手機終端庫存去化已告一段落、傳統服務器需求依然疲弱，而AI服務器需求則較為強勁。業界人士認為，存儲器原廠減產以求獲利的決心不容小覷，在獲利數字翻正前，應會持續減產策略，預期2024年上半年內存報價向上趨勢不變。臺系存儲器相關廠商包括南亞科、華邦電、群聯、威剛、創見、十銓、宇瞻等有望受惠。時序進入第四季，三星認為，市場復蘇將加速，在旺季帶動之下，市場DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
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存儲器 三星 海力士
近日，第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產業鏈研創趨勢展望研討會在深圳隆重開啟。兆易創新存儲器事業部產品市場經理張靜受邀出席，以“持續開拓，兆易新一代存儲產品助力行業創新”為題，分享了兆易創新在嵌入式存儲器領域的廣泛布局，以及面向產業技術變革浪潮的創新思考，共同探討“半導體產業波動周期”下的存儲器市場發展趨勢。GD Flash的開拓之路：十四載達成212億顆出貨成就眾所周知，Flash是一種非易失性的存儲器，在斷電和掉電的情況下，存儲的內容不會發生丟失，是絕大多數電子系統必備的元器件。作為一家以存
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兆易創新 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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