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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

        非易失性存儲器和易失性存儲器的對比

        •   非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。    在很多的存儲系統(tǒng)的寫操作程序中,內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁,提供更快速的性能,但是如果發(fā)生突然間斷電的情況,如何保護內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失,這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候,里面的數(shù)據(jù)會丟失,就像內(nèi)存。非易失性存儲器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會丟失,像硬盤等外存。RRAM是一
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        韓媒:存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷,中國企業(yè)或放緩前進步伐

        • 根據(jù)韓國媒體Business Korea報道,由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷,存儲器產(chǎn)品價格下跌,各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來,雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅,但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑。  無獨有偶,SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此,那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢? 
        • 關(guān)鍵字: 存儲器,NAND  

        2018年全球半導(dǎo)體成長13.4%,三星再奪第一

        •   知名的研調(diào)機構(gòu)顧能(Gartner)估計,2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值4767億美元,成長13.4%;其中,三星(Samsung)受惠動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)市場成長,蟬聯(lián)龍頭地位。  早在2018年1月份,Gartner就曾預(yù)估,2018年全球半導(dǎo)體營收預(yù)估將達到4,510億美元,相較2017年的4,190億美元增加7.5%。  現(xiàn)在看來,2018年的表現(xiàn)比預(yù)估中的更為良好。  根據(jù)顧能統(tǒng)計,2018年前4大半導(dǎo)體廠排名維持與2017年相同不變,三星市占率15.9%,蟬聯(lián)龍頭地位;英特爾(Inte
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  英特爾  

        存儲器行業(yè)的2018:冰與火之歌|盤點2018

        • 存儲器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表,它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術(shù)上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
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        存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷,2019年如何破局?

        • DRAM內(nèi)存降價已是必然,內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止,降價的勢頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時,NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期,以致市場供過于求,價格連續(xù)走跌。
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        中天弘宇:攻克核心設(shè)計缺陷 重建NOR閃存新生

        • 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進,NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因為存在部分設(shè)計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過,因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累,完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新,也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu),但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
        • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  存儲器  

        DRAM降價將會比預(yù)期更猛,明年對于存儲器來說將是難熬的一年

        •   DRAM內(nèi)存降價已是必然,內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止,降的時候看來勢頭會比預(yù)期更狠。  瑞銀分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場的分析報告,雖然維持美光公司的中性評級,但他下調(diào)了美光的目標(biāo)股價,從52美元砍至41美元。他不看好美光股價的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價幅度要高于預(yù)期,之前分析認(rèn)為明年環(huán)比下架10-12%左右,但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價格降幅達到10-15%,而且NAND閃存價格也會降10-15%。  此前,DRAMeXchang
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        本土投資人看好哪類半導(dǎo)體企業(yè)

        • 本土半導(dǎo)體業(yè)部分投資企業(yè)介紹了他們看好的半導(dǎo)體機會。這些投資機構(gòu)非常具有代表性,其中有國內(nèi)第一家半導(dǎo)體VC(風(fēng)投),還有第一個由國內(nèi)芯片制造商龍頭成立的VC,還有一家活躍的擅長財務(wù)并購的財務(wù)投資人。
        • 關(guān)鍵字: 投資  存儲器  CPU  AI  自動駕駛  201812  

        晉華事件透視:存儲器壟斷暴利之痛如何終結(jié)?

        • 壟斷加劇供求失衡,導(dǎo)致價格上漲,壟斷導(dǎo)致的暴利,是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問題。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

        存儲器價格降溫?或許只是長達18個月的“美夢”

        • 國內(nèi)存儲器廠商真正“見真功”和“花大錢”的時候到了。不過目前來看,國內(nèi)三大存儲器廠商由于技術(shù)原因,與國際大廠的差距還很明顯,想要趕上漲價潮的紅利還需努力!
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  SK 海力士  

        存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼,但漲價優(yōu)勢不再,Q4風(fēng)光難續(xù)

        •   前言:2018年Q3出貨旺季,在存儲器Bit出貨量增加帶動下,存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而,存儲器漲價優(yōu)勢不再,Q4財報恐難抵下滑之勢。  存儲器原廠Q3財報搶眼,但NAND價格大跌超60%,引原廠產(chǎn)能“緊急制動”  2018年以來,F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨,且以256Gb和512Gb供貨為主,再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應(yīng)用,導(dǎo)致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季,NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

        美光宣布量產(chǎn)面向移動應(yīng)用、業(yè)內(nèi)容量最高的單片式存儲器

        •   美光科技股份有限公司(納斯達克代碼:MU)今天宣布,已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)容量最高的首款單片12Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率4x(LPDDR4x)DRAM,適用于移動設(shè)備和應(yīng)用。該最新一代美光LPDDR4存儲器在功耗上做出了重大改進,同時保持了業(yè)內(nèi)最高的LPDDR4時鐘頻率,從而為下一代手機和平板電腦提供高級性能。此外,美光的12Gb LPDDR4x實現(xiàn)了雙倍的存儲容量,與上一代產(chǎn)品相比,在不增加體積的情況下提供了業(yè)內(nèi)容量最高的單片LPDDR4。  人工智能(AI)、增強現(xiàn)實(AR)和4K視頻等計算型和數(shù)據(jù)密集型
        • 關(guān)鍵字: 美光  存儲器  

        技術(shù)變革關(guān)鍵期,中國如何突圍存儲器產(chǎn)業(yè)?

        •   存儲器是信息系統(tǒng)的核心芯片,對于保障國家安全和信息安全具有重要意義。當(dāng)前以云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展,引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長,對存儲器的需求也在不斷增加。2017年,我國僅存儲器進口規(guī)模就達到870億美元。  近日,第二屆中國高端芯片高峰論壇召開。以“存儲器產(chǎn)業(yè):在開放與競爭中成長”為主題,與會專家對我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略進行了探討:當(dāng)前,存儲器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時期。既要推動現(xiàn)有主流存儲器技術(shù),產(chǎn)品的應(yīng)用發(fā)展,也要在新興存儲器方面有超前考慮,力爭為我國企業(yè)在存儲器領(lǐng)域
        • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

        中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會召開

        •   2018年10月26日,中國存儲器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(下稱“聯(lián)盟”)成立大會暨第一次會員大會在武漢召開。工業(yè)和信息化部副部長羅文出席大會并致辭。  羅文強調(diào),存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。加快存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展既是補齊產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板的必然要求,也是保障國家產(chǎn)業(yè)安全和信息安全的重要舉措。存儲器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時期,這些都為我國打破主流存儲器領(lǐng)域空白、實現(xiàn)加速發(fā)展創(chuàng)造了有利條件。  羅文對聯(lián)盟的未來發(fā)展提出三點建議:一是反映行業(yè)訴求、服務(wù)行業(yè)發(fā)展。吸納產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)包括應(yīng)用企業(yè)加入到聯(lián)盟中,發(fā)揮橋梁紐帶作用,代表
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  

        國內(nèi)廠商在存儲行業(yè)緊鑼密鼓,有望實現(xiàn)“彎道超車”

        • 中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚,我國作為全球最重要的存儲器市場,在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下,通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭,有望實現(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”,在全球競爭中占有一席之地。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲器  
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        存儲器介紹

        什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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