- 半導體存儲器銷售最差時期已過，價格已止跌。
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存儲器
- 每年有數百億個RAIN RFID標簽穿梭于價值鏈，識別跟蹤各類物品。在大多數情況下，只需少量的存儲空間便可以存儲產品和標簽ID，從而區分各個物品，并報告物品在系統中的位置和/或狀態。那么，為什么某些RAIN RFID標簽提供額外的存儲空間呢？因為在某些情況下，特別是在供應鏈和工業物聯網中（IoT），即使一點點額外的存儲空間也會帶來很大的影響。除了產品和標簽ID外，擴展存儲器標簽可以存儲其他信息，有助于提升效率、提高自動化水平并降低運營成本。 什么是擴展存儲器標簽？提供擴展存儲器的RAIN RFI
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UCODE 標簽 存儲器 RFID NXP
- 存儲密度躍升 10 到 100 倍？
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存儲器
- 今日，三星電子宣布，已開始量產為車載信息娛樂系統（IVI）優化的全新車載UFS 3.1存儲器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲器最低的功耗，可助力汽車制造商為消費者打造優秀的出行體驗。為滿足客戶的不同需求，三星的UFS
3.1（通用閃存）將推出128、256和512千兆字節（GB）三種容量。在未來的汽車（電動汽車或自動駕駛汽車）應用中，增強的產品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中，256GB容量的產品，功耗較上一代產品降低了約33%，還提供了每秒700兆字節(MB/s)的順序寫入速度和2000MB/
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三星 車載UFS 3.1 存儲器
- 4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發布會，推出FM25/FM29系列SLC
NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發存儲新產品。FM25/FM29系列產品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車載等相關領域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產品基于95nm先進EEPROM工藝，具備低功耗、
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復旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業務恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續下滑，第一季本業虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
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存儲器 DRAM NAND Flash
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
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3D DRAM 存儲器
- 信息社會離不開數據存儲，金融、電信、互聯網等，更需要高可靠、高安全的海量存儲系統，存儲器和存儲系統是數據的載體，關乎數字經濟產業安全、國家安全。在今年全國兩會期間，全國人大代表、華中科技大學計算機學院教授馮丹提出了《關于加快國家存儲器基地建設的建議》。馮丹認為，應加快數據存儲產業強鏈補鏈，助力數字經濟發展。“從戰略高度重視數據存力產業高質量發展，將數據存力指標納入國家體系，盡快形成我國數據存儲產業發展的頂層規劃和具體目標，打造一批典型示范項目，加快先進存力的開發與應用。”馮丹建議，制定獨立的存儲產業強鏈補
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存儲器 自主可控
- 當地時間2月9日，晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，已收購瑞薩電子（Renesas）的專利和經過生產驗證的導電橋接隨機存取存儲器（CBRAM）技術，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現家庭、工業物聯網及智能移動設備的一系列應用。格芯表示，這項交易進一步加強了格芯的存儲器產品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術節點的嵌入式存儲器解決方案，擴展了其嵌入式非易失性存儲器（NVM）解決方案的路線圖。這項技術將使客戶能夠進一步區分其SoC設計，并推動新一代安全和智能
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格芯 瑞薩 易失性電阻式 RAM 存儲器
- SO-DIMM（Small Outline
DIMM）因小巧尺寸設計，適合空間有限的系統，例如筆電、小型工業電腦、NAS、路由器等。根據外媒報導，JEDEC固態技術協會可能將戴爾和英特爾合作開發的CAMM（Compression
Attached Memory Module）作為下一代標準，取代SO-DIMM。近日，國外媒體PCWorld引用戴爾資深工程師、JEDEC委員會成員Tom Schnell的說法表示，JEDEC固態技術協會考慮采用CAMM成為正式標準，并讓其他制造商加以使用。Tom Sc
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筆電 存儲器 CAMM SO-DIMM
- 存儲器相當于我們的大腦的存儲單元，能夠保存我們的電子數據。為增進大家對存儲器的認識，本文將對隨機存取存儲器、寄存器和存儲器的區別予以介紹。如果你對存儲器具有興趣，不妨和小編一起來繼續認真地往下閱讀哦。一、隨機存取存儲器隨機存取存儲器(randomaccessmemory，RAM)又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
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寄存器 存儲器
- 半導體技術持續更新迭代，MCU也要與時俱進。為了更好地迎接未來趨勢，有的廠商選擇從內核下手，比如，由Arm Cortex-M內核轉向RISC-V內核；也有選擇集成AI，通過在MCU中加入AI加速器，讓MCU更加智能；還有一種就是本文將主要介紹的，集成新型存儲器。MCU作為一款需要集成CPU、SRAM、非易失性存儲器，以及專用外設的芯片，最常見的存儲器形式主要包括了 eDRAM 、SRAM 易失性存儲器、閃存、EEPROM 非易失性存儲器，這其中集成式閃存是MCU的重要特征。然而，隨著時間的推移，閃存卻逐漸
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MCU 存儲器 英飛凌 ST 瑞薩
- 當地時間11月10日，美光宣布推出適用于數據中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC?
9004系列處理器進行了驗證。隨著現代服務器將更多處理內核裝入CPU，每個CPU內核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據介紹，美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD
EPYC處理器系統和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統
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美光 數據中心 DDR5 存儲器
- 據韓媒《BusinessKorea》報道，三星于近日宣布，公司已經成功運行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100，并展示了其性能。三星稱，與其他沒有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片將AMD GPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約50%。與僅配備HBM的GPU加速器相比，配備HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了約2100GWh。2021年2月，三星推出了其首個HBM-PIM，這是業界第一個高帶寬存儲器（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。HBM
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三星 人工智能 存儲器
- 據TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU
Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL
1.1規格，而該規格可先實現的產品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce認為
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TrendForce 集邦咨詢 存儲器 CXL AI/ML DRAM
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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