- 將助推石墨烯在半導體工業界廣泛應用
記者從中科院上海微系統所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組與超導課題組，采用化學氣相淀積法，在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質量單層石墨烯。相關成果日前發表于《自然》雜志子刊《科學報告》。
石墨烯在機械、電學、光學和化學方面的優異性能，使其具有巨大的應用前景。目前，化學氣相沉積法是制備高質量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是，在石墨烯的生長過程中，金屬基底是必不可少的催化劑，而隨后的應用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉移到所需要的絕緣或者半
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石墨烯 半導體
- 第三代半導體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出，最有發展前景。第三代半導體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石，其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導率和更成熟的技術，而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優點則使其擁有更快的研發速度。兩者的不同優勢決定了應用范圍上的差異，在光電領域，GaN占絕對的主導地位，而在其他功率器件領域，SiC適用于1200V以上的高溫大電力領域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領域。目前來看，未來2
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半導體 晶圓制造
- 電子板塊五個交易日上漲2.46%，排在23個行業中第4位，成交金額512.70億元，資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為：億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為：華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。
行業動態觸控筆記本OGS面板低價版問世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國內液晶電視面板自給率超過3成
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半導體 電子設備
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代，設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術后，另一設備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈，對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯電等大
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半導體 20納米
- EDA業者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯電和英特爾(Intel)等半導體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發，EDA工具開發商也亦步亦趨，并爭相發布相應解決方案，以協助IC設計商克服電晶體結構改變所帶來的新挑戰，卡位先進制程市場。
16/14奈米(nm)先進制程電子設計自動化(EDA)市場戰火正式點燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結構不僅提升晶片設計困難度(圖1)，更可能拖累產品出貨時程，為協助客戶能突破Fi
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半導體 14nm
- 推動半導體業進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯，但是14nm的步伐仍按期走來，原因究竟是什么?
傳統光刻技術與日俱進
當尺寸縮小到22/20nm時，傳統的光刻技術已無能力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術。
提高光刻的分辨率有3個途徑：縮短曝光波長、增大鏡頭數值孔徑NA
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ASML 半導體
- 半導體技術正推動醫療保健產業變革。在半導體業者的努力下，MEMS感測器和致動器、低功耗微控制器，以及無線收發器的效能不斷提升，且功耗大幅降低，因而有助電子產品制造商為可攜式醫療電子設備增添智慧化功能，從而加速行動醫療及遠距照護發展。
意法半導體執行副總裁暨大中華與南亞區總裁紀衡華
過往醫療設備體積龐大，占滿整個房間，現今醫療設備已不斷變小、變輕，并創造許多新的應用，例如很多新的穿戴式醫療設備已被設計得十分隱蔽，不易被人發現。如同智慧型手機和游戲機一樣，可攜式醫療設備可全天候工作，讓病患與醫
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半導體 MEMS
- SEMICON Taiwan 2013國際半導體展下月起跑，今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機械及系統級封裝等為主題，另有LED(Light Emitting Diode，發光二極體)制程特展，同時也將舉辦15場國際論壇及邀請多家知名企業主參與，預料將成注目焦點。
國際半導體設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
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半導體 3D
- 中國半導體業究竟要實現什么樣的目標?有宏大的目標如“建立自主可控的中國半導體業體系”。由于自主與可控的范圍太大，離目前產業發展水平還稍有點遠，我們可以把它稱之為中國半導體業的終極目標。還有一個目標即中國半導體業的“十二五”規劃，簡要概括是實現銷售額3300億元，以及國產化率達到30%，還有諸如銷售額達到多少億元的芯片生產線共有多少條等。站在不同立場，對于中國半導體業要實現的目標理解可能不盡相同。實際上IC國產化率才是反映中國半導體業綜合競爭力提高的主要指
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半導體 IC代工
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代，設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術后，另一設備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈，對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯電等大
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半導體 20納米
- 半導體業已經邁入14nm制程，2014年開始量產。如果從工藝制程節點來說，傳統的光學光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術可能達到10nm，這意味著如果EUV技術再次推遲應用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。除非等到EUV技術成熟，制程才能再繼續縮小下去。依目前的態勢，即便EUV成功也頂多還有兩個臺階可上，即7nm或者5nm。因為按理論測算，在5nm時可能器件已達到物理極限。
工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標。眾所周知，推動市場進步的是終端電子產品的市場需求，向著更
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半導體 14nm
- 近日，由中國照明電器協會、中國照明學會、中國質量認證中心、北京電光源研究所共同發起的“半導體照明技術評價聯盟”在北京成立。該聯盟為我國首個半導體照明技術評價領域的社會組織。
該聯盟的主要任務是技術評價，規范半導體照明產品接口，增強產品之間的互換性，引導國內半導體照明技術進步，制定與國際先進規范(標準)接軌的聯盟規范。
浙江省標準化院與浙江陽光照明電器集團股份有限公司、橫店集團得邦照明股份有限公司、杭州宇中高虹照明電器有限公司、杭州浙大三色儀器有限公司等10余家浙江企
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半導體 照明
- 芯夢 中國夢---中國半導體業發展十個最關鍵的問題
引言篇：中國半導體業的“西緒福斯”魔咒
在多古希臘神話中，西緒福斯(Sisyphus，又譯西齊佛)推石頭的故事給我留下了深刻的印象。西緒福斯因為在天庭犯了法，被宙斯懲。對他的懲是：要推一塊巨石上山。每天，西緒福斯都要費好大的力氣把那塊石頭推到山頂，可是石頭又會自動滾下來，于是西緒福斯又要把那塊石頭往山頂上推。日復一日，周而復始。
猶如西緒福斯推動巨石，歷史是循環的，又是進步的。在半導體業的輪回中，中國的半導體
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半導體 集成電路
- 在多古希臘神話中，西緒福斯(Sisyphus，又譯西齊佛)推石頭的故事給我留下了深刻的印象。西緒福斯因為在天庭犯了法，被宙斯懲。對他的懲是：要推一塊巨石上山。每天，西緒福斯都要費好大的力氣把那塊石頭推到山頂，可是石頭又會自動滾下來，于是西緒福斯又要把那塊石頭往山頂上推。日復一日，周而復始。
猶如西緒福斯推動巨石，歷史是循環的，又是進步的。在半導體業的輪回中，中國的半導體業卻似乎“循環”大于“進步”，彷佛陷入了“西緒福斯”推石
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半導體 電子
- 英特爾(Intel)的發言人透露，該公司第一座18寸(450mm)晶圓廠計劃自2013年1月起「順利展開」，該座代號為 D1X第二期( module 2)的晶圓廠已經低調動土。
據了解，英特爾打算將D1X 第二期作為量產18寸晶圓IC的研發晶圓廠;該公司在2012年12月就透露正準備擴充D1X廠區，以「容納新的制造技術」，但該訊息僅低調地在美國奧勒岡州當地媒體曝光，并沒有公布在公司官網。
英特爾D1X廠的第一期工程預期會是該公司第一條以12寸晶圓生產14奈米 FinFET 晶片的生產線;而
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半導體 晶圓
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