- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- 微型隔離器的應用可進一步縮小電動及混合動力汽車功率逆變器的體積
瑞薩電子公司開發的配有內置式微型隔離器的 IGBT 驅動器智能器件
日本東京訊-全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)今天宣布開發出了隔離型IGBT驅動器的R2A25110KSP智能型功率器件， 適用于電動和混合動力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發的微型隔離器隔離專項技術。這些技術可為汽車應用系統建立更可靠、更緊湊的系統。
用于驅動電動和混合動力汽車中的電機
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瑞薩 功率器件
- 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導線傳導，在工程領域一直是人們要解決的難題和研究熱點。驅動單元作為大功率...
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電磁兼容 電磁干擾 逆變 功率器件
- 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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MOSFET 功率器件
- 在可以預見的未來，電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機，都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
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IR 功率器件 節能設計
- 揚州電子信息產業近年來快速發展，從電線電纜獨大，到新能源和新光源產業崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強，電子信息制造業結構趨于合理。未來將通過規劃引導、項目推動、創新突破等3大舉措，促進電子制造業加快發展。
布局3大產業
揚州電子制造業形成電線電纜、新光源、新能源3大產業齊頭并進新格局，結構得到優化。
目前，揚州光伏新能源產業已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產業鏈生產能力，多晶硅太陽能電池年產
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電子制造 功率器件
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
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隔離驅動 PowerMOSFET 功率器件
- 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優點，控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻
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IGBT 功率器件 方法
- 第三步：確定熱要求 選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
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功率器件
- 所謂功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體 ...
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功率器件
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應開關，其磁場檢測的敏感度適合于多種產品設計的接近效應與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進行了優化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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Diodes 功率器件 霍爾效應
- “十二五”規劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業的發展非常重視，同時，“節能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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