來自印度的深科技初創公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導體功率器件，用于其下一代無人機（UAV）電機控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調速器（ESC）實現了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設計中實現了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM?6EDL7141?三相柵極驅動器IC結合的英飛凌MOTIX? IMD7
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其他柵極驅動器轉換器考慮因素柵極驅動器 DC-DC 轉換器還有其他獨特的問題。其中包括：1） 調節：當器件不切換時，DC-DC 轉換器上的負載接近于零。然而，大多數傳統轉換器始終要求最小負載;否則，它們的輸出電壓會急劇增加，可能達到柵極擊穿水平。發生的情況是，這個高電壓存儲在大容量電容器上，因此當器件開始切換時，它可能會出現柵極過壓，直到轉換器電平下降到正常負載下。因此，應使用具有箝位輸出電壓或極低最小負載要求的 DC-DC 轉換器。2） 啟動和關斷：重要的是，在驅動電路電壓軌達到指定值之前，I
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柵極驅動器 功率器件
據路透社援引彭博社報道，在關于即將破產的傳聞出現近一個月后，Wolfspeed 現在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據破產計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內公布一項預包裝破產計劃——旨在迅速削減數十億美元的債務。在鎖定重組協議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據 TrendForce 的觀察，由于破產程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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有效的 MOSFET/IGBT 器件開關取決于柵極驅動器及其電源。從電源和電機驅動器到充電站和無數其他應用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） MOSFET等開關功率半導體以及絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 是高效電源系統設計的關鍵。但是，為了實現功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅動器。顧名思義，該元件的作用是驅動功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導通模式或將其拉出導通模式。這樣做要求驅動器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負載（柵極）存在內部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
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柵極驅動器 功率器件
_____隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性，成為行業關注的焦點。目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試方式。其中，JEDEC制定的老化測試標準（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環測試）主要針對傳統的硅基功率器件。對于新型的SiC等功率器件，AQG-324標準進一步要求增加動態老化測試，如動態柵偏和動態反偏測試。
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ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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1、電感本質我們通常所說的電感指的是電感器件，它是用絕緣導線(例如漆包線,沙包線等)繞制而成的電磁感應元件。在電路中，當電流流過導體時，會產生電磁場，電磁場的大小除以電流的大小就是電感。電感是衡量線圈產生電磁感應能力的物理量。給一個線圈通入電流，線圈周圍就會產生磁場，線圈就有磁通量通過。通入線圈的電源越大，磁場就越強，通過線圈的磁通量就越大。實驗證明，通過線圈的磁通量和通入的電流是成正比的，它們的比值叫做自感系數，也叫做電感。1.2 電感分類按電感形式 分類：固定電感、可變電感。按導磁體性質分類：空芯線圈
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電感 功率器件
在DC-DC轉換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過選擇恰當的電感器，能夠獲得較高的轉換效率。在選擇電感器時所使用的主要參數有電感值、額定電流、交流電阻、直流電阻等，在這些參數中還包括功率電感器特有的概念。例如，功率電感器的額定電流有兩種，它們之間的差異是什么呢？為了回答這樣的疑問，我們在這里對功率電感器的額定電流進行說明。存在兩種額定電流的原因功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"和"基于電感值的變化率的額定電流"兩種決定方法，分別具有重要的意義
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電感 功率器件
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現為半導體器件發熱，器件的發熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
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英飛凌 功率器件 熱設計 熱阻
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經把熱阻和電阻聯系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯和并聯概念來做數值計算。熱阻的串聯首先，我們來看熱阻的串聯。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
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英飛凌 功率器件 熱設計 串聯 并聯
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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英飛凌 功率器件 熱設計 散熱器
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發現單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權平均值或給出設計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
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英飛凌 功率器件 熱設計 溫度測試
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結構。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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英飛凌 功率器件 熱設計 功率半導體熱容
前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯時，就可以用阻容網絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環境。不同時間尺度下
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英飛凌 功率器件 熱設計 熱等效模型
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
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