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        功率器件 文章 最新資訊

        用結(jié)點(diǎn)溫度評(píng)估器件可靠性的案例分析

        •   摘要:工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計(jì)算分析后,換成了一顆5A的MOS管,問題解決。為什么用電流裕量更小的器件,卻能提高可靠性呢?   工程師在設(shè)計(jì)的過程中非常注意元器件性能上的裕量,卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì),案例分析我們放到最后說,為了幫助理解,我們先引入一個(gè)概念:        其中Tc為芯片的外殼溫度,PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率,Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度,目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃,Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻,Rcs
        • 關(guān)鍵字: 開關(guān)器件  功率器件  

        一種無采樣電阻的功率器件保護(hù)方法

        •   MOSFET或IGBT保護(hù)方法有很多,有專門帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路,也有用康銅絲做電流采樣的保護(hù)電路。專門帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路一般成本較高,用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無采樣電阻的方法。   下面介紹一種無采樣電阻的方法:        上圖中,Q1是功率管MOSFET或IGBT,R1是負(fù)載,D1是采樣二極管,R2是上拉電阻。在Q1導(dǎo)通時(shí)D1的K極電壓就是Q1壓降,D1的A極電壓在其基礎(chǔ)上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值,當(dāng)過載時(shí)Q1壓降增大,從
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        電源模塊并聯(lián)應(yīng)用的方法和注意事項(xiàng)

        •   摘要:在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,當(dāng)一個(gè)電源模塊的功率無法滿足系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求時(shí),我們往往會(huì)考慮多個(gè)模塊的并聯(lián)使用。如果并聯(lián)設(shè)計(jì)不合理,就會(huì)導(dǎo)致并聯(lián)模塊輸出均流失效,會(huì)有燒壞電源模塊、甚至損壞后級(jí)系統(tǒng)的風(fēng)險(xiǎn)。今天跟大家簡(jiǎn)單分享一些造成電源模塊并聯(lián)失效的真正原因。   目前電源系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)采用新型的功率器件實(shí)現(xiàn)小型、輕量、高效率的電源模塊化,通過并聯(lián)進(jìn)行擴(kuò)容。電源并聯(lián)運(yùn)行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個(gè)有效方案,是電源技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)之一,是實(shí)現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點(diǎn)。        1.不
        • 關(guān)鍵字: 電源模塊  功率器件  

        三菱電機(jī)在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件

        •   三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題,攜帶九款全新功率器件,于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號(hào)4A08)中隆重亮相。   今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域,包括:工業(yè)傳動(dòng)、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動(dòng)汽車,致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。   工業(yè)及光伏發(fā)電市場(chǎng)   針對(duì)工業(yè)光伏逆變器市場(chǎng)的需要,三菱電機(jī)將展出四款新型功率模塊,包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
        • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  功率器件  

        SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)

        •   摘要:探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。   近期,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上,ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上,對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析,并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。   各種功率器件的比較   功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源,包括四大類:逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
        • 關(guān)鍵字: SiC  功率器件  ROHM  IGBT  201503  

        功率器件行業(yè)面臨的風(fēng)險(xiǎn)

        •   功率器件在我國(guó)還屬于朝陽產(chǎn)業(yè),就其在中國(guó)發(fā)展的歷程來看,從20世紀(jì)50年底的可控硅SCR發(fā)展到80年代的較為成熟的絕緣柵雙極晶體管IGBT,發(fā)展時(shí)間較短。就其增長(zhǎng)速度來看,市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)速度較快,高于我國(guó)制造業(yè)的平均增長(zhǎng)速度,并已經(jīng)成為了全球最大的功率器件市場(chǎng)。   根據(jù)統(tǒng)計(jì)局的數(shù)據(jù)顯示,2013年,我國(guó)功率器件銷售額比2012年增長(zhǎng)9.9%,銷售金額達(dá)到1804.87億元。就其下游需求行業(yè)來看,無論是從生活聯(lián)系緊密的數(shù)碼相機(jī)、LED電視、手機(jī)到新能源汽車、工業(yè)控制,均是目前成長(zhǎng)良好需求廣闊甚至在未來
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  半導(dǎo)體  LED  

        IGBT崛起——國(guó)產(chǎn)功率器件的曙光

        •   IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品,是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)。基于技術(shù)和功能上的優(yōu)勢(shì),IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)對(duì)以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排,具有很好的環(huán)境保護(hù)效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品,是未來應(yīng)用發(fā)展的必然
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  IGBT  

        三菱電機(jī)估計(jì)功率器件市場(chǎng)到2016年再創(chuàng)新高

        •   三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在參加2014年P(guān)CIM亞洲展時(shí),估計(jì)功率器件市場(chǎng)在整體經(jīng)歷了2012年的業(yè)績(jī)下滑后,市場(chǎng)正在逐漸恢復(fù)并升溫,預(yù)計(jì)到2016年,整體業(yè)績(jī)可以回復(fù)到2011年的歷史高峰。   為了滿足市場(chǎng)需要,三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體制作所總工程師佐藤克己先生表示,三菱電機(jī)持續(xù)每年投入產(chǎn)品研發(fā),降低產(chǎn)品的重量、尺寸和損耗,最終實(shí)現(xiàn)提升性能和降低成本。現(xiàn)時(shí)集中發(fā)展第7代IGBT模塊、混合碳化硅產(chǎn)品、工業(yè)用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
        • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  功率器件  

        東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

        •   日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕,東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。   展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介:   IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)   東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出&
        • 關(guān)鍵字: 東芝  功率器件  光耦  

        電源及其測(cè)試的熱點(diǎn)與動(dòng)向

        •   通過對(duì)眾多公司的訪問,發(fā)現(xiàn)數(shù)字電源是增長(zhǎng)很快的領(lǐng)域;功率器件的效能在提升,封裝是其創(chuàng)新的一個(gè)重要部分;電源模塊正面向特定的應(yīng)用和客戶,提供端到端的解決方案;電源芯片向微納功耗和能量采集領(lǐng)域挺進(jìn);電源測(cè)試在從單臺(tái)儀器向整體解決方案轉(zhuǎn)型。
        • 關(guān)鍵字: 電源  功率器件  電源管理  能量采集  201404  

        前車門控制器解決方案

        • 本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車車門控制器設(shè)計(jì)方案,即以安森美半導(dǎo)體系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片NCV7462和...
        • 關(guān)鍵字: 前車門控制器  感應(yīng)電阻器  功率器件  

        電動(dòng)汽車的電源與功率器件興起之勢(shì)

        •   雖然電動(dòng)汽車完全成為主流還需要一定的時(shí)間,但一些制造商深信面向大眾市場(chǎng)的零排放汽車時(shí)代已經(jīng)來臨。當(dāng)談到針對(duì)未來交通開發(fā)的技術(shù)時(shí),電動(dòng)汽車和電池產(chǎn)業(yè)毫無疑問是焦點(diǎn)所在,當(dāng)前研發(fā)工作重點(diǎn)放在提高電池存儲(chǔ)容量和加快電池充電時(shí)間。通過與汽車和電池制造商的合作,TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場(chǎng)領(lǐng)域開發(fā)新的技術(shù)和解決方案。   下圖顯示了PPTC技術(shù)如何應(yīng)用于混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車電池模塊中的過溫檢測(cè)。該例使用了一個(gè)熱敏傳感器陣列來監(jiān)視單節(jié)電池故障。由于給PPTC器件加熱會(huì)使器件電阻迅速非
        • 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車  電源  功率器件  

        綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

        • 日前,電子發(fā)燒友網(wǎng)攜手飛兆半導(dǎo)體等業(yè)界五大知名廠商,成功舉辦“2013電源管理技術(shù)研討會(huì)”,200多位技術(shù)研發(fā)工 ...
        • 關(guān)鍵字: 綠色電源  高性能  功率器件  

        Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

        • 2013年9月5日,首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)”在深圳成功召開,來自中科院半導(dǎo)體研究所、南...
        • 關(guān)鍵字: Si基  GaN  功率器件  

        如何實(shí)現(xiàn)IR2110驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)

        • 驅(qū)動(dòng)IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動(dòng)模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動(dòng)...
        • 關(guān)鍵字: 功率器件  IR2110  IGBT  
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        功率器件介紹

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