面向工業設備的電源產品的使用條件比較苛刻，有的應用需要24小時365天無間斷運轉,所以設計與研發電源產品時，對功率器件要求很高，必須要兩個方面的技術性的考慮：一是損耗特性，由于無間斷運轉的需求，如何減少器件所產生的損耗對工廠電費有直接影響。
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瑞薩，功率器件
3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、基本半導體和南方科技大學等單位發起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產業發展產生深遠影響。 科技部原副部長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會副主任、深圳第三代半
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MSP430程序升級方案- 對MSP430系列單片機進行編程的方式有以下3種：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用戶自定義的升級固件。由于利用自定義升級固件進行程序升級的方式比較靈活，且用途廣泛，因此本文將對其作重點介紹。
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變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法- 變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關器件同一時間導通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節能變頻器等其他變頻設備上常見到的故障，解決這種問題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會再損壞。
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常用的功率半導體器件盤點匯總-電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）電子器件。
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開關電源技術發展歷程的十個關注點- 上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。
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全球性需求增加也帶動市場增長，但是功率分立器件交貨期開始延長暫時還沒有什么解決辦法。
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三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機最新的技術、產品和優勢。 三菱電機以“創新功率器件構建可持續未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業應用和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產品“TPD4207F”，擴大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產品陣容，該產品適用于空調、空氣凈化器的風扇電機和泵等各類產品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實現更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產出貨即日啟動。 該新IPD利用東芝最新MOSFET技術——600V超結MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實現5A額定電流。這一電流足以驅動冰箱的壓縮機電機，這是現有IPD無法做到的，因此新IPD的應用范
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IGBT驅動電路的作用： IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。 ?
? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
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IGBT 功率器件
功率集成電路器件的產地正發生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區的功率器件制造業取得迅猛發展，而北美地區則逐漸走下坡路。
在市場機遇方面，隨著電池供電與互聯消費產品及電動車的涌現，功率器件需求預計將更加強勁。如下方圖片所示，中國的智能手機需求增長與功率集成電路消費趨勢相符。未來，中國有望成為半導體器件包括功率器件主要的設計與制造來源。
目前，中國的功率器件制造產業尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復雜精細的功率器
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功率器件 集成電路
本文介紹了中國功率器件制造業未來發展所擁有的環境優勢以及政策優勢，分析了中國功率器件未來發展的廣闊前景。
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功率器件 產能 政策 201705
新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導體非常注重新技術的開發與新材料器件的應用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經量產并且廣泛應用于工業、太陽能逆變器等領域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發中，不久就會發布。
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全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統稱“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。其中，得益于市場對超級結MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持
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