- 所謂功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體 ...
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功率器件
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應開關，其磁場檢測的敏感度適合于多種產品設計的接近效應與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進行了優化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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Diodes 功率器件 霍爾效應
- “十二五”規劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業的發展非常重視，同時，“節能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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新能源 功率器件 IGBT
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現低成本生產。按照此目標，富
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富士通 功率器件 硅基板
- 在穩壓電源中主元器件采用功率半導體器件，如功率晶體管（GTR）、功率場效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（I...
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電源 功率器件 散熱
- 逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（GTR），功率場效應管（MOSFET），絕...
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逆變器 功率器件
- 可采用任何5V電源給高容量電池充電，同時保持低運行溫度便攜式電子產品設計人員面臨著這樣的挑戰，就是要開...
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I2C 電源管理 功率器件
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發展到蓬勃的商業領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統中常遇到的掉載和系統能量突變等引起的瞬態高壓現象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET 功率器件 汽車電子
- 在汽車行業的發展方向上，電動汽車(EV)和油電混合動力汽車(HEV)正成為一個明顯的趨勢。從技術角度來說，目前更...
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電動汽車 電源芯片 功率器件
- 一、導言汽車中使用電子產品可以追溯到使用電動啟動器替代手動曲柄的20世紀初。上世紀60年代，隨著固體電...
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動力傳動 汽車前燈 功率器件
- 隨著全球能源的日趨緊張，節能節電迫在眉睫。電能轉換是節能節電的重要環節。在電能轉換過程中，轉換期間的...
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功率器件 開發應用 實例圖解
- 混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統現場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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HEV 功率器件 混合動力汽車 中的應用
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