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英飛凌馬來(lái)西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來(lái)將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來(lái)西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計(jì)劃，投資額達(dá) 20 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個(gè)高價(jià)值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價(jià)值 50 億美元（當(dāng)前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計(jì)劃
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑

由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模，從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測(cè)和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過(guò)程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì)迅速改變狀態(tài)。開(kāi)、關(guān)狀態(tài)間
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SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。但是，雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來(lái)了更高的復(fù)雜性。對(duì)于 SiC 功率器件制造商來(lái)說(shuō)，準(zhǔn)確測(cè)量外延層生長(zhǎng)和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時(shí)。今天我們分享一下來(lái)自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開(kāi)發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來(lái)重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
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如何增強(qiáng) SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。事實(shí)上，至少在本世紀(jì)下半葉之前，SiC功率器件可能會(huì)供不應(yīng)求。而隨著 SiC 襯底應(yīng)用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強(qiáng)可靠性？為了優(yōu)化未來(lái) SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運(yùn)行，并能有效處理更高電壓，從而增強(qiáng)電動(dòng)汽車的功率密度
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2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)91.7億美元

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報(bào)告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
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功率器件市場(chǎng)為什么這么火爆？

電動(dòng)汽車、可再生能源和云計(jì)算等應(yīng)用正在推動(dòng)提高效率和功率密度的需求。
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中國(guó)芯片自給率鎖定新目標(biāo)

經(jīng)過(guò)了 2023 年的低迷，全球半導(dǎo)體業(yè)將希望寄托在 2024 年。從 2023 年第四季度開(kāi)始，無(wú)論是智能手機(jī)，還是 PC 市場(chǎng)，都出現(xiàn)了回暖信號(hào)，供應(yīng)鏈上相關(guān)廠商的訂單開(kāi)始多起來(lái)，而且，各大市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)也都預(yù)測(cè) 2024 年將是新一個(gè)半導(dǎo)體周期的開(kāi)始，整個(gè)電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入上行周期。對(duì)于正處在各種挑戰(zhàn)與困難之中的中國(guó)電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，2024 年有望迎來(lái)更上一層樓的契機(jī)。一輪一輪的貿(mào)易限制政策，芯片企業(yè)投資（特別是 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)）虛熱冷卻，本土新建晶圓廠陸續(xù)完成并開(kāi)始量產(chǎn)，進(jìn)口和本土芯片博弈后的
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工業(yè)電源模塊對(duì)功率器件的要求

工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域?yàn)樵O(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，在工業(yè)自動(dòng)化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲(chǔ)能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜，對(duì)電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時(shí)，它對(duì)EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造，形成的一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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SiC仿真攻略手冊(cè)——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能！

過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌停肓烁鼜?fù)雜的結(jié)構(gòu)，如超級(jí)結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結(jié)構(gòu)沒(méi)有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在，通過(guò)引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
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總投資15億元，漢軒車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)

據(jù)“徐州高新發(fā)布”公眾號(hào)消息，12月18日，徐州高新區(qū)漢軒車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)。據(jù)悉，漢軒車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬(wàn)平米，潔凈室面積1.4萬(wàn)平米，滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專注于車規(guī)級(jí)功率器件的晶圓代工廠。項(xiàng)目規(guī)劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個(gè)工藝代工平臺(tái)，規(guī)劃月產(chǎn)能超過(guò)6萬(wàn)片，年銷售收入約13.8億元。項(xiàng)目建成后將進(jìn)一步完善高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，有力推動(dòng)車規(guī)級(jí)功率器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
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SmartFET的熱響應(yīng)，一文輕松get√

本系列文章將介紹安森美(onsemi)高邊SmartFET的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)理念，可作為了解該器件在特定應(yīng)用中如何工作的指南。范圍僅限于具有模擬電流檢測(cè)輸出的SmartFET。今天將為大家介紹SmartFET的熱響應(yīng)，將簡(jiǎn)要解讀產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中公布的熱數(shù)據(jù)和曲線。了解熱網(wǎng)絡(luò)對(duì)于外部條件可能出現(xiàn)極端變化的汽車應(yīng)用而言，了解并準(zhǔn)確估計(jì)器件的熱響應(yīng)是一個(gè)長(zhǎng)期存在的挑戰(zhàn)。以瞬態(tài)或連續(xù)溫度波動(dòng)形式表現(xiàn)的超過(guò)器件熱容量的熱過(guò)應(yīng)力，是該領(lǐng)域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其壽命期間經(jīng)常觀察到這種瞬態(tài)。此外，隨著硅特征
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一文看懂｜半導(dǎo)體功率器件的組成和應(yīng)用

常見(jiàn)的幾種功率半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。1、MCT? MOS控制晶閘管MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)下MCT的功率、快開(kāi)關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全
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比亞迪半導(dǎo)體功率器和傳感控制器項(xiàng)目一期竣工

11月30日消息，日前，比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。據(jù)了解，位于馬山街道的比亞迪半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資100億元，用地417畝。項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬(wàn)片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。順應(yīng)新能源汽車行業(yè)發(fā)展需求，一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。據(jù)相關(guān)人員介紹，比亞迪半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)42個(gè)月全部竣工。
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電子半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇之路為何如此坎坷？

2023 上半年，全球手機(jī)和 PC 市場(chǎng)涼到冰點(diǎn)，人們把希望都寄托在了以 AI 服務(wù)器為代表的高性能計(jì)算市場(chǎng)。但是，到了下半年，越來(lái)越多的人意識(shí)到，AI 服務(wù)器雖美，但其在全球電子半導(dǎo)體總市場(chǎng)中的占有率有限，而傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)也已經(jīng)疲軟，要想全面恢復(fù)市場(chǎng)活力，還要將希望寄托在具有龐大市場(chǎng)規(guī)模的消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域，特別是手機(jī)、個(gè)人電腦（PC），以及汽車。從最近的情況來(lái)看，在 2023 年的最后一個(gè)季度，市場(chǎng)給人們的期待做出了積極的回應(yīng)。據(jù) IDC 統(tǒng)計(jì)，全球智能手機(jī)出貨量在 2021 年第三季度同比下滑了 6%
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半導(dǎo)體功率器件的無(wú)鉛回流焊

半導(dǎo)體器件與 PCB 的焊接歷來(lái)使用錫/鉛焊料，但根據(jù)環(huán)境法規(guī)的要求，越來(lái)越多地使用無(wú)鉛焊料來(lái)消除鉛。大多數(shù)適合這些應(yīng)用的無(wú)鉛焊料是具有較高熔點(diǎn)的錫/銀合金，相應(yīng)地具有較高的焊料回流溫度。無(wú)鉛焊料通常是錫/銀 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的變體。影響焊接工藝的主要區(qū)別是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔點(diǎn)。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔點(diǎn)比 Sn/Pb 共晶 (63Sn/37Pb) 高 37°C。Sn/Ag 焊料的標(biāo)稱共晶熔點(diǎn)為 220°C，Sn/Pb
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