英飛凌躍居2013年全球功率半導體龍頭

　　英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場持續取得領先，蟬聯龍頭地位，同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領先。根據市調機構IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續11年奪得第一。

　　英飛凌執行長Dr. Reinhard Ploss表示，事實證明英飛凌的策略正確，從產品導向的思維模式邁向系統級別的觀點，并提供最適合客戶的產品，幫助他們獲得成功。這點由英飛凌在MOSFET功率電晶體領域的持續成長便可看出。

　　2013年全球功率半導體市場縮減0.3%，約為154億美元。盡管大環境情況不佳，英飛凌市占率仍達到12.3%，較前一年成長了0.9%。另一方面，在MOSFET功率電晶體的市場區塊，該公司市占率成長了1.6%達到13.6%，首度成為此市場區塊的最大供應商。同時，英飛凌也在分離式逆導絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)功率電晶體與IGBT模組的子市場市占率，分別位居第一、二名。

　　功率半導體可依據不同領域的應用，以分離式、模組化或組裝堆疊的組態供應，控制與轉換數瓦特到數百萬瓦特的電力;而功率電晶體則是體積非常精巧的開關，是節能電源供應器的