中國首批自主研發8英寸IGBT芯片裝車成功試運行

　　中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試，并穩定運行一萬公里，各項參數指標均達國際先進水平。

　　這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷，實現從研發、制造到應用的完全國產化。

　　IGBT是一種新型功率半導體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰略領域中不可或缺。

　　由于國內IGBT技術起步較晚，受制于人，發展艱難而緩慢。國內大功率IGBT市場一直被國外公司壟斷。

　　2008年，南車時代電氣成功并購英國丹尼克斯半導體公司。經過4年的技術消化、吸收與再創新，2012年5月，中國南車株洲所在株洲投資15億元人民幣，建設國內第一條8英寸IGBT專業芯片線，并于2014年6月正式投產。10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線的城軌車輛。

　　行業數據顯示，中國現已成為全球最大的電力電子器件消費市場，僅IGBT產品在國內的市場需求規模就已超過100億元。此次成功試運行，拉開了國產8英寸IGBT芯片應用于軌道交通領域的序幕。