啟方半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體用0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)

韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。  

BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數(shù)字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點。近年來，隨著電子設(shè)備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要，對合適的功率半導(dǎo)體的需求也越來越大，因此對BCD的需求也在增加。

啟方半導(dǎo)體為工作電壓在8V至150V之間的功率器件提供0.18微米BCD工藝。特別是100V或150V級別的高壓功率器件，這些器件適合用來提高智能手機或筆記本電腦中電池充電IC的性能。以使用USB-C型連接器的電池充電為例，使用之前60V BCD工藝設(shè)計的充電器IC的充電功率最高可以為100瓦，但如果使用的是150V BCD工藝，充電功率則可以增加到240瓦。這些高壓器件還可用來設(shè)計大功率工業(yè)電機的驅(qū)動IC。啟方半導(dǎo)體計劃在下半年繼續(xù)完善其高壓器件技術(shù)，以提供適用于通信和工業(yè)設(shè)備大功率電壓轉(zhuǎn)換器IC的200V級別的高壓器件。

啟方半導(dǎo)體0.18微米150V BCD工藝提供低導(dǎo)通電阻器件，以幫助其無晶圓廠客戶在提高電源效率的同時縮小芯片的尺寸。對于電源供電控制和輸出微調(diào)，啟方半導(dǎo)體還提供可選的存儲器件，比如SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）、ROM（只讀存儲器）、MTP（多次可編程存儲器）和OTP（一次性可編程存儲器）。該公司還為客戶提供電機精密控制所需的霍爾傳感器器件，幫助他們實現(xiàn)高性能電機驅(qū)動IC的設(shè)計。

啟方半導(dǎo)體支持無晶圓廠客戶使用該BCD工藝開發(fā)并量產(chǎn)適用于智能手機、筆記本電腦和許多家用電器的快速充電器IC、交流-直流IC、直流-直流IC、電機驅(qū)動IC和以太網(wǎng)供電（PoE）IC。此外，該BCD工藝還符合國際汽車電子零部件可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100的Grade-0規(guī)范，可用于汽車電機驅(qū)動IC、直流-直流IC和LED驅(qū)動IC。

啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官李泰鐘（Tae Jong Lee）博士表示：“近年來為了實現(xiàn)高速電源傳輸和高功率效率，功率半導(dǎo)體市場對100V或更高電壓BCD工藝的需求正在加大。特別是，由于很少有代工廠使用傳統(tǒng)體硅襯底硅片提供100V或更高電壓BCD工藝，因此不再使用SOI襯底的0.18微米150V BCD工藝的量產(chǎn)有著重要的意義。啟方半導(dǎo)體將繼續(xù)開發(fā)工藝技術(shù)，以滿足功率半導(dǎo)體設(shè)計公司的需求。”