左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業版圖

　　繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM核心系統單晶片(SoC)，并攜手發展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。

　　格羅方德全球行銷暨業務執行副總裁MikeNoonen認為，格羅方德20奈米LPM技術極具成本效益，且相較于28奈米，可提升40%效能及兩倍閘極密度。

　　ARM執行副總裁暨處理器部門與實體矽智財(IP)部門總經理SimonSegars表示，此次合作將同步優化ARM與格羅方德技術，為智慧型手機、平板裝置與個人電腦提供高效能ARM處理器。在雙方密切配合之下，也將加速開發新世代20奈米低耗電(LPM)與FinFET制程技術，確保客戶能獲得多種實作選項，順利將半導體發展往前推進兩個世代。

　　事實上，ARM不久前才與全球晶圓代工龍頭--臺積電延續20奈米先進制程合作計劃，針對ARMv8架構下的新一代64位元ARM處理器、Artisan實體IP及FinFET制程技術進行最佳化，以應用于要求性能與節能兼具的高階行動裝置、企業級伺服器。

　　未屆一個月，ARM旋即又與格羅方德攜手，著手開發完整Artisan實體IP平臺，包含StandardCell、記憶體編譯器和封裝堆疊(PoP)IP解決方案等，可見其積極鞏固行動市場地位、防堵英特爾(Intel)后來居上，并擴展個人電腦與企業級設備版圖的雄心。

　　格羅方德全球行銷暨業務執行副總裁MikeNoonen強調，ARM技術已整合至全球許多產量最高的行動裝置中，在今后數年內的重要性只會不斷提高。因此，藉由格羅方德先進制程知識，結合低功耗ARM中央處理器(CPU)和GPU核心架構，將為雙方未來開辟行動裝置市場版圖，帶來絕佳競爭優勢。

　　據了解，格羅方德已致力打造ARMCortex-A系列處理器數年，包含一系列28奈米制程方案，以及現正于紐約Malta晶圓廠實作的20奈米測試晶片。新合約將延續既有成果，進一步推動IP平臺生產，并助力客戶迅速轉移至三維(3D)FinFET電晶體，開發更具前瞻性的ARM架構處理器，以便在智慧型手機、平板裝置與超薄筆電中，實現更優異的系統效能和電源效率。