英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻 三星買氣清淡
隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產品,應戰三星電子(Samsung Electronics)42納米制程,不但制程技術領先,近期英特爾和美光在價格策略上,更是上演絕地大反攻計畫,以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露,近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元,相較于三星更是便宜將近3美元,價差相當驚人,而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產品詢問度大增,三星在現貨市場活絡度則降低。
本文引用地址:http://www.104case.com/article/96409.htm英特爾和美光進入NAND Flash市場以來,一直處于追趕三星狀態,然2009年領先推出全球成本最低的34納米制程技術,相較于三星和東芝(Toshiba)最先進制程分別為42與41納米,以及海力士(Hynix)41納米近期開始量產出貨,英特爾陣營打了漂亮一仗,并促使三星和東芝下半年快馬加鞭要轉進30納米制程。
除加快制程腳步,美光2009年在NAND Flash市場布局相當具企圖心,原本蘋果(Apple)新產品iPhone 3G S的NAND Flash供應商以東芝為主,然近期下游廠透露,美光NAND Flash產品已通過iPhone 3G S認證,預計8月開始出貨,這對于美光而言,將是相當重要里程碑。
存儲器模塊廠透露,近期英特爾與美光陣營在現貨市場價格策略犀利,幾乎是以大殺價方式,吸引下游廠買盤進駐,一方面是美光和英特爾34納米制程極具成本競爭力,有本錢繼續殺價,另一方面則是策略性地搶食原本三星客戶族群。
下游廠透露,目前32Gb芯片價格約5.8~6美元,英特爾與美光價格比其它同業便宜近1美元,而三星2009年策略大轉變,堅持守住利潤而不沖營收作法,讓三星目前在32Gb芯片價格,比英特爾陣營足足高出近3美元,1顆報價接近8美元,中間價差相當驚人,而同樣情況亦出現在64Gb產品價格上。
存儲器廠指出,英特爾與美光這招降價策略其實相當奏效,近期市場詢問度提高很多,買賣交易顆粒幾乎以英特爾與美光產品居多,三星不僅較貴,加上其對現貨市場釋出貨源有限,使得三星顆粒詢問度降低。
模塊廠表示,這其實符合2009年三星在NAND Flash領域策略方向,包括獲利至上、不盲目沖刺市占率和營收,策略性降低現貨供應比重,主攻系統OEM等大型合約客戶,過去常出現與臺廠有暗盤交易、價格保護(PP)等方式,2009年一律不再出現,此舉有助于三星獲利結構更穩定,但亦使得部分現貨市場客戶開始倒向英特爾與美光等陣營。
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