- 鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產品線，一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發布。
這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設計，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發布，128GB版售價大約450美元。
- 關鍵字：
鎂光 34納米 NAND SSD
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯網設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節能是這類應用的核心特色。
美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產品，預計于2010年初投入量產。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
- 關鍵字：
美光 NAND 34納米 智能手機
- 三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優勢可能讓這種內存替代現有的移動存儲形式.
多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態就會發生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態,從而可以用于數據存儲.
一直以來,包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發,他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存.
三星半導體
- 關鍵字：
三星 PCM 34納米 10納米 12納米
- 英特爾和美光科技周二發布了用于閃存卡和優盤的高數據容量閃存技術。這兩家公司稱，他們已經開發出了基于34納米技術的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術，從而將實現高容量的優盤。
美光NAND閃存營銷經理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒有基于更標準的技術的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優盤。優盤沒有要求固態硬盤的那種數據存儲可靠性。固
- 關鍵字：
英特爾 NAND 34納米
- 海力士(Hynix)NAND Flash產業之路命運多舛，之前48納米制程量產不順，加上減產之故，幾乎是半退出NAND Flash產業，直到近期新制程41納米制程量產順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」!
海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
- 關鍵字：
Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
- 英特爾公司已經開始采用更為先進的34納米生產流程制造其領先的NAND閃存固態硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產品將使SSD的價格(與一年前推出產品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。
多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統硬盤(
- 關鍵字：
英特爾 34納米 NAND 固態硬盤
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產品，應戰三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產品詢問度大增，三星在現貨市場活絡度則降低。
英特爾
- 關鍵字：
Intel 34納米 NAND 42納米
- 市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
- 關鍵字：
英特爾 DRAM NAND 34納米
- 有傳言稱英特爾將于兩周后推新款固態硬盤。
據消息人士稱，新款固態硬盤將使用由英特爾和美光聯合開發的34納米NAND閃存芯片，容量高達320GB。工藝越先進，固態硬盤的存儲密度越高，成本越低。固態硬盤將能夠取代大多數筆記本電腦中的傳統硬盤。
- 關鍵字：
Intel 34納米 閃存芯片 固態硬盤
- 近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發布基于34納米制程NAND芯片的固態硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態硬盤出現的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。
固態硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關鍵字：
英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
34納米介紹
您好，目前還沒有人創建詞條34納米!
歡迎您創建該詞條，闡述對34納米的理解，并與今后在此搜索34納米的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
