臺積電承認40納米工藝遭遇障礙

　　在公布最新季度財報的同時，臺積電也第一次公開承認，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。

　　臺積電在去年底基本準時地上馬了40nm生產線，并在今年第一季度貢獻了大約1%的收入，高于預期水準，預計今年第二季度會達到2%左右。

　　臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問時說：“良品率是有些問題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術。(不過)我們已經找到了問題的根源，并且已經或正在解決。”

　　結合此前消息，臺積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率，難以制造高性能GPU芯片，不過蔡力行并未詳加說明，只是聲稱臺積電已經完成了基于28nm工藝的可用SRAM單元，預計2010年第一季度開始啟用這種新工藝，屆時會帶來高K介質和金屬柵極技術。

　　蔡力行還在會議期間對今年的多個行業進行了展望：IC產業跌20%、代工產業跌25-30%、PC出貨量跌8%、手機出貨量跌12%、消費電子產品出貨量跌7%。

　　今年第一季度臺積電收入395.00億新臺幣(￥81.26億元)，環比減少38.8%、同比減少54.8%，凈利15.59億新臺幣(￥3.21億元)，環比減少87.5%、同比減少94.5%。臺積電將此糟糕業績歸咎于全球經濟低迷導致客戶調整庫存，半導體行業需求全面銳減。

　　就生產工藝而言，0.13微米依然撐起了臺積電總收入的65%，其次是90nm 25%、65nm 23%、4540nm1%。

　　競爭對手聯電一季度虧損81.6億新臺幣，相比上季度的235.1億新臺幣大為減少，并預計今年第二季度即可重新盈利，同時生產線開工率已從30%升至75%。