功率開關寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
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必須看到，在禁止窗口中存在一些殘留電壓。驅動器行為與任何典型的CMOS推挽驅動器相似。殘留信號的閉塞在禁止窗口中進行。選擇Rsig和鏡像的比例，以便進行靈敏度為100mA的負電流檢測。
比較器提供用于導通功率MOS的Vvalley信號。
因為要進行高速的Soxyless檢測，所以功率MOSFET的導通發生在非常接近于“谷點”處。
“谷點”檢測靈敏度的范圍是100mA。
注：有源電壓鉗位和負電流測量都在申請專利待審批中。
結語
Soxyless技術在硅集成上進行了驗證。其表明仿真結果與試驗分析相一致。這種創新的技術可以無需特定的輔助繞組與反激變壓器耦合就能檢測“谷點”。目前無需使用任何RC定時技術便可在過零檢測和重啟點之間建立一致的關系。■
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