功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
—— 功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測
作者：安森美半導(dǎo)體 Francois LHERMITE
時間：2008-04-01
來源：電子產(chǎn)品世界
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引言
本文引用地址：http://www.104case.com/article/81041.htm在工作于自激振蕩模式的SMPS中，需要檢測磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測的最新技術(shù)基于對與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對磁芯實際去磁后出現(xiàn)的零電壓進(jìn)行檢測(ZCD)。在準(zhǔn)諧振工作中，重新啟動新一輪導(dǎo)通周期的最佳時機位于功率MOSFET漏極電壓的“谷點”處。電壓ZCD和漏極電壓谷點之間的時間間隔取決于漏極振鈴周期。
本文描述了一種被稱為SOXYLESS的新技術(shù)，它無需采用輔助繞組和時間補償元件就能進(jìn)行“谷點”檢測。
Soxyless原理
圖1表明了反激SMPS的功率MOSFET漏極上的電壓 。
為了工作在開關(guān)導(dǎo)通準(zhǔn)諧振狀態(tài)，最佳時刻必須和漏極電壓的“谷點”相對應(yīng)。此事件和存儲在漏極總電容中的最小能量相重合：
開關(guān)導(dǎo)通時該能量越小，SMPS的損耗和干擾就越小。
“谷點”檢測基于對流經(jīng)功率MOSFET柵極節(jié)點的電流的測量。在功率MOSFET漏極上出現(xiàn)的平坦電壓末端，電壓的變化由Lp變壓器電感與漏極上的總電容之間傳輸?shù)闹C振能量決定。當(dāng)電壓由平坦電平下降至SMPS的VIN dc電壓時，MOSFET漏極上的振蕩電壓便會發(fā)生變化。在柵極和漏極之間，形成一個固有的MOSFET電容。因此，便產(chǎn)生一個電流流經(jīng)功率MOSFET柵極。
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