功率開關寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100) —— 作者：安森美半導體 Francois LHERMITE 時間：2008-04-01 來源：電子產品世界 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 漏極電壓源的電壓是反激結構的簡化表示，它包括耦合電感、次級二極管和電容、負載及輸入儲能電壓源。本文引用地址：http://www.104case.com/article/81041.htm PSPICE仿真使用MTD1N60E功率MOSFET 和100pF緩沖電容。 電容Crss的值為6pF。 圖6中的波形表示仿真結果。 上一頁 1 2 3 4 5 6 7 8 9 下一頁
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