功率開關寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
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因為Q2 PNP不能流過任何反向電流，只要負電流出現(xiàn)，體二極管就開始導通，形成一個對地的負電壓。選擇Vacl電壓源使得一旦Q3的源極存在負電壓，NMOS的柵極就導通。負柵極電流流過Q3。此電路的工作原理如同有源電壓鉗位網(wǎng)絡。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/81041.htm于是體二極管電壓鉗位到：
選擇的Vacl值接近于Vth，這決定了DRV電壓接近于驅動器的接地點。用這種方法可以實現(xiàn)虛擬接地。
Q3電流通過M1產(chǎn)生鏡像。鏡像電流通過Rsig 產(chǎn)生“信號”。信號的擺幅可與Vzcd進行比較，用來創(chuàng)建Vvalley信號。為了實現(xiàn)Vvalley信號不受干擾和靈敏的檢測，必須選擇發(fā)生在零點檢測前一點的Vzcd電平，以便補償比較器的傳輸延遲。
硅集成實現(xiàn)
在Soxyless功能模塊中處理的信號是非常高速的信號。在典型的應用中，磁芯去磁之后發(fā)生的振鈴周期在500kHz范圍內(nèi)。對應的半周期的數(shù)量級為1ms。很明顯，谷點檢測速度是一個影響精度的因素。
Soxyless模塊的主要功能為：
·啟動PNP
·禁用推挽驅動器的下部NFET
·在漏極電壓振蕩的負dV/dt部分在驅動器輸出DRV上形成“虛擬地”
·捕獲(流出DRV輸出端的)負電流
·檢測“正向ZCD DRV電流”
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