半導體二極管之雙向觸發二極管
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一、雙向觸發二極管的結構與特性
本文引用地址：http://www.104case.com/article/78710.htm雙向觸發二極管由硅NPN三層結構組成，它是一個具有對稱性的半導體二極管器件，可等效為基極開路、集電極與發射極對稱的NPN半導體三極管，如圖14-38所示。
雙向觸發二極管的伏安特性曲線如圖14-39所示，其正向和反向具有相同負阻特性。當雙向觸發二極管兩端所加電壓V，低于正向轉折電壓VBO時，器件呈高阻狀態。當外加電壓升高到VBO時，器件擊穿導通，由高阻轉為低阻進入負阻區。同樣，當所加電壓大于反向轉折電壓-UBO時，器件也會擊穿導通進入負阻區。有時又把轉折電壓稱為穿通電壓或擊穿電壓。轉折電壓的對稱性用正負轉折電壓的絕對值之差表示。特性曲線中的△V，為動態回轉電壓，IB為漏電流，IBO為轉折電流，IF為正向電流，-IF為反向電流。
雙向觸發二極管結構簡單，價格低廉，常用來觸發雙向晶閘管，還可以用它組成過壓保護等電路。
二、雙向觸發二極管的主要特性參數
雙向觸發二極管的外形如圖14-40所示，其主要特性參數見表14-22。
三、雙向觸發二極管應用電路
1．雙向觸發二極管觸發雙向晶閘管的調壓電路
采用雙向觸發二極管觸發雙向晶閘管的調壓電路是一種典型而常用的觸發電路，圖14-41所示的就是采用這種電路構成的調壓電路。在一般情況下，雙向觸發二極管呈高阻截止狀態，只有當外加電壓(不論正負)的幅值大于雙向觸發二極管的轉折電壓時，它便會擊穿導通。
當電路接通交流市電后，交流市電便通過負載電阻RL及RP、R2向電容器C充電。只要電容器C上的充電電壓高于雙向觸發二極管的轉折電壓，電容器C便通過限流電阻R1以及雙向觸發二極管VD1向晶閘管VS的控制極放電，觸發雙向晶閘管VS導通。改變電位器RP的阻值便可改變向C充電的速度，也就改變了雙向晶閘管的導通角。由于雙向觸發二極管在正、反電壓下均能工作，所以它能在交流電的正、負兩個半周內均能工作。
2．過壓保護電路
圖14-42所示的是由雙向觸發二極管與雙向晶閘管組成的過壓保護電路。電壓正常工作時加在雙向觸發二極管兩端的電壓小于轉折電壓，VD1不導通，雙向晶閘管處于截止狀態，負載RL可得到正常的供電。當供電電源的瞬態電壓過壓時，加在雙向觸發二極管兩端的電壓便會大于轉折電壓，VD1導通并觸發雙向晶閘管，使其也導通，使負載RL免受過壓損害。
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