韓確定“下下一代”半導體四大重點領域
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據韓國媒體報道,韓國產業資源部要以當前正改編中的策略技術開發體系為基礎,以此確定從明年開始的下下一代半導體研發,并對此加強政策支持。
韓國產資部未來生活產業本部長透露,通過四大領域的重點研發,大幅度增加根源、前沿的研發投資,從而確保系統半導體設計以及工程技術的領先,并增強產、學、研以及供、需企業之間的協作。
為此,產資部以共同研發項目的擴大和設備、材料產業的同步增長作為推進策略。
在四大重點研發領域中,系統設計的目標是將當前分別處于23位、13位(世界前100的基準)左右水平的半導體設計和制造技術提高到美國、日本、中國臺灣的水平。為了積極應對半導體行業細小化、集成化的趨勢而需要進一步強化的納米集成工程,其目標不僅是確保新技術主導權,而且要提高設備、材料產業的競爭力。與此同時,下一代存儲器的核心是通過加強相關研發,使得當前DRAM、NAND Flash的主導權擴展到性質上與此不同的PRAM、FeRAM、ReRAM等技術上,從而進一步拉大與競爭國家之間的差距。
除此以外,在系統領域上要把焦點放在半導體領域和其他產業之間的聯系上。其策略是從產品的策劃階段開始,通過與電子、通信、汽車等共同開發,占領新的半導體市場。
產資部有關人員透露,通過加強中小設備、零部件企業和半導體大企業的協助,消除半導體產業的不均衡發展,組成健全的半導體產業生態體系,這也是政府的主要政策方向。當前,設備、原料、零部件占據著半導體生產成本的65%以上,但國產化率較低,如設備的國產化率不到20%,零部件、原料的國產化率不到40%。
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