臺積電7納米SRAM打贏三星 要準備5nm制程

　　臺積電與英特爾、三星的先進制程競賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導體三雄間的競逐場，三星雖于11月中搶先發表10納米FinFET制程生產的SRAM(靜態隨機存取存儲器)，看似搶先臺積電與三星，不過，臺積電3日透露，早已成功以7納米制程產出SRAM，而且預告5納米也要來了!

　　臺積電于3日舉辦第十五屆供應鏈管理論壇，臺積電總經理暨共同執行長劉德音表示，庫存調整已近尾聲，2016有望恢復成長，臺積明年將比今年更好，與先前自家董事長張忠謀的說法一致，劉德音對臺積電先進制程進度也透露更多的訊息。

　　在16納米制程，臺積電先前推出比FinFETPlus更低功耗的FFC制程，主打低階智慧手機與物聯網等領域，劉德音昨3日指出，目前已設計定案(tape-out)的有27個，估計2016年達到100個，16納米從原本高階市場主力，進一步拓展到中低階市場，劉德音預估16納米市佔的擴展，將成為明年營收優于去年的重要動能。

　　對于三星于11月中宣布已運用10納米FinFET生產出SRAM(靜態隨機存取存儲器)，劉德音透露，臺積電已經成功以7納米制程產出SRAM，10納米將在2016年初試產、7納米則有望于2017年第一季試產，與今年9月臺積電技術長孫元成，參與美國圣塔克拉拉舉行的創新平臺論壇所言進度相同。

　　據孫元成當時說法，10納米在2016年底或2017年初將進入量產階段，若依此轉進進度，10納米階段臺積將有望超車英特爾，英特爾執行長BrianKrzanich在今年第二季法說會上坦承，下世代(10納米)制程，大約到2017年下半才會推出。三星則在今年6月正式將10納米FinFET制程納入開發路圖(Roadmap)，估計10納米在2016年底、2017年初全面投產，與臺積電時間差不多。

　　值得關注的是，劉德音在昨3日的論壇向供應鏈伙伴預告，該開始準備5納米了!雖未對相關時程多做說明，但也令外界相當期待，然而在10納米以下制程微縮已經來到光學微影解析的極限，臺積電年初透露在10納米制程有部分光罩將採用極紫外光(ExtremeUltraviolet，EUV)微影技術進行曝光，大摩3月份發表的報告也指出，EUV將是臺積電能否在10納米以下制程超車的關鍵。