SEMI成功說服美國政府修訂出口管制清單

　　SEMI在敦促美國政府修訂半導體設備出口管制清單上取得突破性進展。據悉，美國商務部工業與安全局(BIS)即日將正式發文宣布，認可國外(中國)存在各向異性等離子干法刻蝕設備，這類設備在ECCN編號為3B001.c。BIS將表明，中國有和美國ECCN3B001.c性能相當的刻蝕設備技術能力，因此，基于這項編碼的美國國家安全出口管制將失效。

　　這一禁令已經持續20多年，取消這條禁令十分必要，這可以充分證明中國本土公司已經可以制造出與美國公司性能相當的半導體刻蝕設備。同時，也為瓦森納協議(Wassenaar Arrangement)在全球貿易中解除相關管制條例做好了準備。

　　SEMI長期以來一直敦促美國政府修訂出口管制清單，支持自由貿易和開放市場，促進全球半導體產業健康發展。而這次突破性進展除了對中國企業的認可外，對于美國和日本的主要設備供應商也是一個大的利好。

　　背景

　　2014年7月16日，半導體設備和材料協會(SEMI)向BIS申請，表示中國存在有各向異性等離子干蝕刻設備，這類型的設備在美國ECCN出口管制制度中編號為3B001.c。它用在雙重用途的半導體設備制造過程，例如閃存、微波單片集成電路、晶體管以及模擬 - 數字轉換器。這些設備用于民用和軍事應用，例如雷達、點對點無線電通信、微處理器、蜂窩基礎設施和衛星通信。SEMI認為，中國同等質量的各向異性等離子干法刻蝕設備足以使美國ECCN 3B001.c類別的出口管制失效。

　　SEMI提交該提案之后， BIS于2014年9月8日正式啟動評估。BIS收集的數據分析結果通過了評估，表明中國有和美國ECCN3B001.c質量一致的刻蝕設備，這樣，基于這項編碼的美國國家安全出口管制將失效。