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        飛思卡爾與IBM宣布簽署標志性技術開發協議

        —— ——兩家公司將合作開發未來半導體技術
        作者: 時間:2007-01-26 來源: 收藏
        德州奧斯汀和紐約阿芒克-2007年1月23日訊-公司和宣布,將加入技術聯盟,聯合進行的研究與開發。

        此協議包括互補性氧化金屬(CMOS)技術和絕緣硅(SOI)技術以及45納米一代產品的高級半導體研究和設計支持轉換。是第一個與技術聯盟共同參與低功耗和高性能技術研究和開發的技術開發合作伙伴。

        本協議將飛思卡爾在主要嵌入式市場(包括汽車、聯網、無線、工業和消費電子)的領先技術水平與IBM開發世界一流技術和業界領先系統技術的成功經驗結合起來。

        此次合作將進一步加強飛思卡爾的生產戰略。除了利用自身內部工廠的生產能力以及與領先生產商的現有關系外,飛思卡爾還將結合IBM通用平臺合作伙伴的生產能力。通用平臺為半導體制造伙伴提供同步生產流程,確保實現多源、大量生產的最大靈活性和最低開發投資。

        “此次合作是飛思卡爾與IBM聯盟優勢互補的絕好機會。”飛思卡爾戰略與業務開發高級副總裁兼代理首席技術官Sumit Sadana表示,“通過這一業界領先的技術發展規劃圖,飛思卡爾將能為我們的客戶提供巨大價值。”

        “飛思卡爾加入IBM技術聯盟為IBM的合作模式和我們與我們的技術合作伙伴正在攜手完成的工作增添了巨大信心,”IBM半導體研究與開發副總裁表示:“飛思卡爾在半導體流程開發和快速增長的嵌入式應用領域(如汽車、連網和無線)擁有深厚的專業技術,是我們團隊的極具價值的補充。”


        關鍵詞: IBM 半導體 飛思卡爾

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