網傳中芯國際5nm工藝良率超60%，各路消息撲朔迷離

眾所周知，我國芯片業面臨美國強力制裁，無法取得生產先進制程所需的 EUV 設備，只能通過不斷改良的 DUV 設備提升制程能力。近日，網絡上傳出大量信息：國產5nm迎來歷史性突破，不僅實現量產，而且良率從早期的35%大幅提升至60%-70%，接近臺積電初期的SF3良率水平。

根據微博爆料者“定焦數碼”表示，中芯國際5納米制程的良率已提升至60%-70%，他還進一步指出，中芯國際5納米良率與三星電子3納米GAA制程相當。后者已被用于生產Galaxy Z Flip 7搭載的Exynos 2500芯片。但X賬號Jukanlosreve也表達了對此傳言的強烈質疑，據其之前透露，中芯國際計劃在2025年前完成5納米芯片開發，但由于采用深紫外光（DUV）微影設備而非極紫外光（EUV）設備，預計成本將增加50%。如果Jukanlosreve所言非虛，那么他的質疑也并不是沒有道理。

據傳，這一突破背后，是工程師們在沒有 EUV 光刻機的情況下，他們選擇了 DUV 設備，這是一種相對成熟且成本較低的光刻技術。但 DUV 設備的分辨率有限，難以直接滿足先進制程的要求。為了解決這一問題，工程師們采用了四重圖案化技術（SAQP）。這種技術的核心在于通過多次曝光和復雜的工藝步驟，逐步細化芯片上的線條和圖案。

目前市面上并未看到實際使用中芯 5 納米的產品，最新麒麟 X90 芯片是采用 7 納米制程，在商用技術至少 70%良率的推測下，中芯 5 納米很難達到該水平。

   但是，如果傳言為真，這無疑對我國所有芯片相關廠商來說都是一次重大的利好。還有小道消息表示，華為即將推出的Mate 80系列將采用網傳的國產5nm工藝制造的麒麟9030 SoC，就讓我們拭目以待。

目前，全球都在關注我國的芯片業的技術能力，也有外媒傳出大陸正在測試自行研發的 EUV 設備，預計今年第三季開始試產，實際應用狀況受到市場高度關注，若效果不錯，目前全球最大半導體制造設備廠商 ASML 將面臨前所未有的挑戰。

如果我國完成自行生產 EUV 設備，就代表我國半導體產業突破技術瓶頸，有機會持續推進先進制程技術，甚至挑戰英特爾、三星或臺積電。這就代表著，美國特朗普政府想要想要對我國進行“科技圍堵”政策的徹底破產。